[其他]浸漬陰極在審
| 申請號： | 101985000004881 | 申請日： | 1985-06-26 |
| 公開（公告）號： | CN85104881B | 公開（公告）日： | 1988-12-21 |
| 發明（設計）人： | 山本惠彥;田口貞憲;會田敏之 | 申請（專利權）人： | 株式會社日立制作所 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 郁玉成 |
| 地址： | 日本國東京都千*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 浸漬 陰極 | ||
【權利要求書】：
1、在耐熱多孔基體內浸入電子發射材料的浸漬陰極，在此多孔質基體的電子發射面上敷以薄層，其特征在于，此耐熱多孔質基體不含有Sc和Sc的氧化物，而所說薄層或由一種高熔點金屬和Sc（或Sc的氧化物），或上述高熔點金屬與Sc和Sc的氧化物所組成，此薄層是由真空濺射淀積而成。
2、根據權利要求1所述的浸漬陰極，其上述薄層的厚度為10nm～1μm。
3、根據權利要求1所述的浸漬陰極，其上述薄層中，Sc和Sc的氧化物的含量為1～20%。（重量百分比）。
4、根據權利要求1所述的浸漬陰極，其上述的高熔點金屬可從W、MO、Ir、Os、Re及Pt等金屬中至少選出一種。
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