[其他]電沉積金-碳化硅復合鍍層

在審

• 申請號: 101985000000021
• 申請日: 1985-04-01
• 公開（公告）號: CN1004528B
• 公開（公告）日: 1989-06-14
• 發明（設計）人: 郭鶴桐;王兆勇;邱訓高
• 申請（專利權）人: 天津大學
• 代理公司: 天津大學專利代理事務所
• 代理人: 張宏祥;曲遠方

一種用于繼電器觸點的抗電浸蝕的耐磨復合鍍層，是用電鍍方法沉積在銅合金或其他金屬基體上、復合鍍層中彌散有占鍍層體積０．１～１０％，粒徑小于０．５微米的ＳｉＣ微粒。這種金基復合鍍層具有比純金高的顯微硬度，低的摩擦系數，接觸電阻略大于金，但低于金．　　　　本發明提供一種具有非矩陣型遮光結構的平面顯示器。非矩陣型遮光結構包括主遮光結構和輔助遮光結構，其中主遮光結構具有間隙和對應于像素區的主空間，而輔助遮光結構對應于主遮光結構的間隙。每一間隙對應于掃描線或信號線。每一主空間與至少一間隙合金，并且耐電浸蝕性、抗腐蝕及抗變色能力強，這種Ａｕ－ＳｉＣ復合鍍層可在含有ＳｉＣ微粒的、氰化物的、酸性的及亞硫酸鹽的鍍金溶液中獲得。連接，而每一間隙連接兩相鄰的主空間。＜＾＾＞

本發明涉及用作繼電器觸點材料的金基復合鍍層。

制作弱電流、小功率、高靈敏度的繼電器的電觸點，通常采用純金（包括電鍍純金）或金合金（包括電鍍金合金）。金具有優良的導電導熱性能，非常好的耐蝕性和抗變色能力，對有機污染的敏感性也很小。但是金的硬度低，抗液＊浸蝕能力差，且摩擦系數大（約為0.94），耐磨性差，價格昂＊

自本世紀六十年代以來，復合電沉積技術迅速發展。1969年培費爾（Peiffer）等人曾報導用電沉積方法獲得Au-WC復合鍍層用于干簧繼電器的電觸點。經檢索1961到1984年的CA來發現有記載關于Au-SiC復合鍍層用于繼電器及其電化學形成工藝的文獻或專利。

本發明的目的在于，用復合電鍍技術在銅合金或其他金屬材料基體上形成一薄層Au-SiC復合物表層。該復合物層將金的優良導電導熱性，優異的化學穩定性與碳化硅的耐熱耐磨性結合在一起，形成一種綜合性能優良的復合鍍層，用在繼電器的觸點上，可使繼電器工作的可靠性和使用壽命大幅度提高。

本發明的特征是采用電化學沉積的方法，在銅合金或其他金屬基體上沉積一薄層Au-SiC復合鍍層，SiC微粒的含量占鍍層體積的0.1～10%，粒徑小于0.5微米。這種復合鍍層具有硬度高，Hv達100～180，電鍍金層的Hv在90左右，電鍍金-鈷合金的Hv為140～180，耐磨性好;摩擦系數小于0.5。作為繼電器的電觸點，Au-SiC復合鍍層的接觸電阻低，在接觸壓力為10克，電流10～40毫安條件下，接觸電阻≤5mΩ，在同樣條件下，金的接觸電阻為3.5mΩ，金-鈷合金為7mΩ，而且耐電浸蝕，抗腐蝕及抗變色能力強。

本發明的復合電鍍工藝的特點在于，可以在氰化鍍金液，酸性鍍金液及亞硫酸鹽鍍金液等電解液中加入一定量的SiC微粒，在整個電鍍過程中，使微粒在電解液中充分懸浮。本發明Au-SiC復合電鍍工藝的一種實施方案如下：

金（以KAu（CN）2形式加入） 8～12克/升

檸檬酸氫二銨 80～110克/升

碳化硅微粒（粒徑＜0.5微米） 0.1～10克/升

pH 5.4～5.8

鍍液溫度 30～50℃

陰極電流密度 0.1～0.5安/分米²

陽極用純金或鈦基鍍鉑電極。采用機械攪拌或鍍液循環使SiC微粒在鍍液中充分懸浮。鍍層厚度根據需要可在2～50微米間選擇。