[其他]電沉積金-碳化硅復合鍍層在審
| 申請號： | 101985000000021 | 申請日： | 1985-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN1004528B | 公開（公告）日： | 1989-06-14 |
| 發明（設計）人： | 郭鶴桐;王兆勇;邱訓高 | 申請（專利權）人： | 天津大學 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 天津大學專利代理事務所 | 代理人： | 張宏祥;曲遠方 |
| 地址： | 天津市南*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 沉積 碳化硅 復合 鍍層 | ||
【權利要求書】：
1、一種用作繼電器電觸點的金基復合鍍層，其特征在于，鍍層中彌散有占鍍層體積0.1～10%，粒徑小于0.5微米的SiC微粒。
2、權利要求1所述金基復合鍍層的鍍覆方法，其特征在于，在添加有0.1～10克/升粒徑小于0.5微米的SiC微粒的，氰化物的、酸性的或亞硫酸鹽的鍍金電解液中將Au-SiC復合鍍層沉積。在銅合金或其它金屬基體上。
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