[發明專利]多晶硅融化摻氮生長微氮硅單晶的方法有效
| 申請號： | 02151126.8 | 申請日： | 2002-12-02 |
| 公開（公告）號： | CN1422989A | 公開（公告）日： | 2003-06-11 |
| 發明（設計）人： | 李立本;楊德仁;闕端麟 | 申請（專利權）人： | 浙江大學 |
| 主分類號： | C30B27/00 | 分類號： | C30B27/00 |
| 代理公司： | 杭州求是專利事務所有限公司 | 代理人： | 韓介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 多晶 融化 生長 微氮硅單晶 方法 | ||
【說明書】：
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