[發明專利]多晶硅融化摻氮生長微氮硅單晶的方法有效
| 申請號： | 02151126.8 | 申請日： | 2002-12-02 |
| 公開（公告）號： | CN1422989A | 公開（公告）日： | 2003-06-11 |
| 發明（設計）人： | 李立本;楊德仁;闕端麟 | 申請（專利權）人： | 浙江大學 |
| 主分類號： | C30B27/00 | 分類號： | C30B27/00 |
| 代理公司： | 杭州求是專利事務所有限公司 | 代理人： | 韓介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 多晶 融化 生長 微氮硅單晶 方法 | ||
【權利要求書】：
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于浙江大學，未經浙江大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/02151126.8/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：旋轉電機的刷握裝置
- 下一篇：碼分多址系統中一種外環功率控制方法
