[發明專利]半導體存儲器件及其制造方法

無效

• 申請號: 02141116.6
• 申請日: 2002-07-04
• 公開（公告）號: CN1395306A
• 公開（公告）日: 2003-02-05
• 發明（設計）人: 神田昌彥
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L21/8239
• 分類號: H01L21/8239;H01L21/82;H01L27/10
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王永剛

1.一種具有形成單元晶體管的單元區域和形成外圍電路的外圍晶體管的外圍區域的半導體存儲器件的制造方法，具備：

在上述單元區域和上述外圍區域的半導體襯底上邊，依次形成柵極氧化膜、第1柵極材料和第1絕緣膜，

采用對上述第1絕緣膜、上述第1柵極材料和上述柵極氧化膜的一部分進行刻蝕的辦法，在上述單元區域和上述外圍區域上形成由上述第1絕緣膜、上述第1柵極材料和上述柵極氧化膜構成的多個柵極構造，

在上述外圍區域上形成的上述柵極構造的側面上邊形成第2絕緣膜，

采用以上述第1絕緣膜和上述第2絕緣膜為掩模對上述半導體襯底進行刻蝕的辦法，在上述單元區域和上述外圍區域的上述半導體襯底表面上形成多個槽，

采用除去在上述外圍區域上形成的上述柵極構造的側面上邊的上述第2絕緣膜的辦法，使上述柵極構造附近的上述半導體襯底表面在上述槽的兩側露出來，

在上述單元區域的上述槽內，和在上述外圍區域的上述槽內，形成元件隔離絕緣膜，使得上述元件隔離絕緣膜在上述柵極構造附近的上述半導體襯底表面上延伸，

除去在上述外圍區域上形成的上述柵極構造，

在上述外圍區域的上述元件隔離絕緣膜間形成上述外圍晶體管的柵極構造。

2.根據權利要求1所述的方法，

在上述外圍區域上形成的上述柵極構造的側面上邊形成第2絕緣膜的工序具備：

在上述外圍區域的上述柵極構造的上表面和側面上邊和上述半導體襯底上邊，形成第2絕緣膜，

除去上述柵極構造的上表面和上述半導體襯底上邊的上述第2絕緣膜。

3.根據權利要求1所述的方法，上述第2絕緣膜的厚度為20到35nm。

4.根據權利要求1所述的方法，還具備：

在形成了上述元件隔離絕緣膜后，除去上述第1絕緣膜的工序；

在形成了上述外圍晶體管的柵極構造后，在上述單元區域的上述第1柵極材料上邊依次形成第3絕緣膜、第2柵極材料，

采用對在上述單元區域上形成的上述第2柵極材料，上述第3絕緣膜和上述第1柵極材料的一部分進行刻蝕的辦法，形成上述單元晶體管。

5.根據權利要求1所述的方法，除去上述外圍區域的上述柵極構造的工序，含有除去上述柵極氧化膜的工序，上述柵極氧化膜用濕法刻蝕除去。

6.一種具有形成單元晶體管的單元區域和形成外圍電路的外圍晶體管的外圍區域的半導體存儲器件的制造方法，具備：

在上述單元區域和上述外圍區域的半導體襯底上邊，依次形成柵極氧化膜、第1柵極材料和第1絕緣膜，

采用對上述第1絕緣膜、上述第1柵極材料和上述柵極氧化膜的一部分進行刻蝕的辦法，在上述單元區域和上述外圍區域上形成由上述第1絕緣膜、上述第1柵極材料和上述柵極氧化膜構成的多個柵極構造，

在上述外圍區域上形成的上述柵極構造的側面上邊形成第2絕緣膜，

采用以上述第1絕緣膜和上述第2絕緣膜為掩模對上述半導體襯底進行刻蝕的辦法，在上述單元區域和上述外圍區域的上述半導體襯底表面上形成多個槽，

采用除去在上述外圍區域上形成的上述柵極構造的側面上邊的上述第2絕緣膜的辦法，使上述柵極構造附近的上述半導體襯底表面在上述槽的兩側露出來，

在上述外圍區域的上述槽的上述半導體襯底的表面上的拐角部形成圓角，

在上述單元區域的上述槽內，和在上述外圍區域的上述槽內，形成元件隔離絕緣膜，使得上述元件隔離絕緣膜在上述柵極構造附近的上述半導體襯底表面上延伸，

除去在上述外圍區域上形成的上述柵極構造，

在上述外圍區域的上述元件隔離絕緣膜間形成上述外圍晶體管的柵極構造。

7.根據權利要求6所述的方法，在上述外圍區域上形成的上述柵極構造的側面上邊形成第2絕緣膜的工序具備：

在上述外圍區域的上述柵極構造的上表面和側面上邊和上述半導體襯底上邊，形成第2絕緣膜，

除去上述柵極構造的上表面和上述半導體襯底上邊的上述第2絕緣膜。

8.根據權利要求6所述的方法，上述第2絕緣膜的厚度為20到35nm。