[發明專利]半導體器件制造方法及處理液

有效

• 申請號: 02140706.1
• 申請日: 2002-07-12
• 公開（公告）號: CN1397990A
• 公開（公告）日: 2003-02-19
• 發明（設計）人: 青木秀充;中別府健一;富盛浩昭;竹脅利至;弘長伸夫;國島浩之
• 申請（專利權）人: 日本電氣株式會社
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;H01L21/321;H01L21/3213;H01L21/768
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 穆德駿,關兆輝

1.在半導體晶片上形成半導體器件的制造方法，包括：

提供暴露在通孔內的布線層，所述的通孔形成在覆蓋所述布線層的中間層膜中；

用帶有有機殘留物的有機溶劑清潔所述布線層；以及

在所述的清潔所述布線之前，向所述的中間層膜施用非水溶劑。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，至少所述的通孔中的一個和所述的中間層膜在所述的施加非水溶劑之前，在等離子體環境中處理。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，還包括向所述的通孔施加含有抗蝕劑的處理液。

4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述的處理液包括非水溶劑。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，還包括：在用有殘留物的有機溶劑清潔所述的布線層之后，用非水溶劑清潔所述的半導體器件。

6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，還包括：在用所述的非水溶劑清潔所述的半導體器件之后，干燥所述的半導體器件。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，提供所述布線層的步驟還包括：

在所述的中間層膜上形成抗蝕刻劑圖案；

用所述的抗蝕刻劑圖案作掩模選擇性地蝕刻所述中間層膜；和

進行化學拋光，以去除所述抗蝕刻劑圖案。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述的布線層由選自包含銅、銀、銅合金及銀合金的組中至少之一制造。

9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述的非水溶劑是醇。

10.如權利要求9所述的方法，其特征在于，所述的非水溶劑選自含有異丙醇、異丁醇、異戊醇、乙醚、乙二醇甲乙基醚、丙醇、1-丁醇、2-丁醇、甲醇、甲基異丁酮或甲基乙基酮的組中的一種或者選自所述組的兩種以上的混合物。

11.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述的抗蝕劑選自含有苯并三唑、1，2，3甲苯基三唑、1，2，4甲苯基苯并三唑、羰基苯并三唑、1-烴基苯并三唑、硝基苯并三唑、5-甲基-1H苯并三唑、烴基丙基苯三唑、酰脲抗蝕劑、或嘌呤化合物抗蝕劑的組中的一種或者選自所述組的兩種以上的混合物。

12.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述的處理液含有：異丙醇、0.5％至30％重量苯并三唑、0.0005至1％重量胺、0.1至5％重量水，并且該處理液是堿性的。

13.如權利要求12所述的方法，其特征在于，所述的胺選自包括：1-氨基-2-丙醇、2-氨基-1-丙醇、3-氨基-1-丙醇、2-甲基氨基乙醇、2-氨基-2-氨基-2-甲基-1-丙醇、2-二乙基氨基乙醇、單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、2-(2-氨乙基氨基)乙醇、2-(二乙基氨基)乙醇、2-二(甲基胺)乙醇、膽堿、嗎啉、二亞乙基三胺、或三亞乙基四胺在內的組中的一種或者選自所述組的兩種以上的混合物。

14.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述的布線層與所述的半導體晶片絕緣，并且所述的布線層含有大面積布線區和引線區，達到所述的大面積布線區的所述的通孔中的暴露面積大于達到所述引線區的所述通孔中的暴露面積。

15.如權利要求14所述的方法，其特征在于，所述達到所述的大面積布線區的所述通孔中的暴露面積至少幾乎是達到所述的引線區的所述通孔中的暴露面積的100倍。

16.如權利要求15所述的方法，其特征在于，達到所述大面積布線區的所述通孔的數量超過1000，而達到所述大面積布線區的所述通孔的數量大于達到所述引線區的所述通孔的數量的100倍。

17.一種用于清潔覆蓋形成在半導體晶片上的布線層的中間層膜中的通孔的處理液，包括抗蝕劑。

18.如權利要求17所述的處理液，其特征在于，還包括非水溶劑。

19.如權利要求18所述的處理液，其特征在于，所述的非水溶劑是醇。