[發明專利]非導電長波熱輻射防護屏

無效

• 申請號: 02140308.2
• 申請日: 2002-06-20
• 公開（公告）號: CN1394548A
• 公開（公告）日: 2003-02-05
• 發明（設計）人: D·E·迪安;D·J·魏爾斯
• 申請（專利權）人: GE醫療系統環球技術有限公司
• 主分類號: A61B5/055
• 分類號: A61B5/055;G01R33/20;B32B33/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 楊凱,張志醒

技術領域

本發明一般涉及特別適用于磁共振成像(MRI)系統的熱輻射防護屏，更具體地說，涉及在射頻(RF)防護屏和病人孔道框架之間屏蔽輻射熱轉移的方法和裝置。

背景技術

目前，磁共振成像(MRI)系統已包括產生時間恒定主磁場的超導磁體。該超導磁體與被順序地加以脈沖的磁梯度線圈組件一起使用，在MRI的數據采集程序中在靜態磁場中形成一系列受控梯度。受控梯度在整個患者的成像容積(病人孔道)中實現，成像容積連接到至少一個MRI(RF)線圈或天線。RF線圈位于磁梯度線圈組件和病人孔道之間。

作為典型MRI的一部分，適當頻率的RF信號發送到病人孔道中。通過RF線圈接收到從病人孔道發出的核磁共振(nMR)響應RF信號。此頻率中的編碼信息和利用RF電路接收到的RF信號的相位參數經過處理形成直觀圖像。這些直觀圖像對應于在病人孔道內患者的截面或容積中的nMR核子分布。

現在的MRI系統由于功率密度較高故要求有較高的磁梯度線圈組件溫度?，F代MRI系統還減小了磁梯度線圈組件和病人孔道外表面之間的空間量，因而，就不可能在病人孔道中進行主動冷卻。所以，需要一種被動冷卻方法來減少從磁梯度線圈組件到RF線圈和病人孔道的熱轉移。熱輻射防護屏是一種被動冷卻方法，已在除MRI系統外的其他工業領域用來減少熱轉移。

在先有技術中已知具有紅外特性的熱輻射防護屏可大大降低熱轉移量。過去，熱輻射防護屏由于其金屬化涂層而具有紅外反射特性。金屬化涂層使所述防護屏導電。

如果把導電的防護屏用在RF線圈和磁梯度線圈組件之間，它可能破壞RF電路的共振電特性，還可能降低nMR信號的保真度。導電的防護屏還會導致產生有害的渦流。由于渦流會產生其自身的磁場，由這些渦流產生的磁場就會干擾MRI的成像過程。

如果把紅外反射防護屏用在RF線圈和RF防護屏之間，它會在MRI工作時干擾感興趣的RF波長。對感興趣的RF波長的干擾可能會使MRI成像發生問題。

結合上述，具有病人孔道的金屬外表面的MRI系統可能也具有由這些金屬表面引起的對nMR信號的RF干擾。

因此希望在現有MRI系統中提供一種既可減少從梯度線圈到病人孔道和RF線圈的熱轉移、又不破壞nMR信號的方法。

發明內容

因此，本發明的一個目的就是減少磁共振成像(MRI)系統的病人孔道外表面和磁梯度線圈組件之間的輻射熱轉移量，而且在MRI工作時不干擾感興趣的傳輸的RF波長。

本發明的另一方面是實現上述目的并同時滿足空間的限制。

在本發明的一個方面，提供一種熱輻射防護屏。所述熱輻射防護屏包括第一涂層和第二涂層。在所述第一涂層和第二涂層之間設置熱屏蔽層。該熱輻射防護屏具有非干擾性電特性。

按照上述和其他目的，提供了在第一表面和第二表面之間加上一層熱輻射防護屏的方法。所述加上熱輻射防護屏的方法包括在第一表面涂敷第一涂層。然后在所述第二表面上涂敷第二涂層。然后在第一涂層和第二涂層之間設置熱屏蔽層。

本發明的另一優點是它具有通用性，可用于具有不同空間條件的各種MRI系統。本發明的另一個優點是：由于本發明的紅外反射和熱性能，現代MRI系統中較高的磁梯度線圈組件溫度已不再有什么關系了。

此外，本發明避免破壞RF電特性，不產生寄生的nMR信號。因此，由于上述優點，具有無干擾電特性的紅外反射式熱輻射防護屏是有可能的。

參考以下詳細說明并結合附圖就可更好地理解本發明本身及其進一步的目的和伴隨的優點。

附圖說明

為了更完全地理解本發明，請參考在附圖中詳細示出的和以下用實例說明的實施例。

附圖中：

圖1是利用按本發明的優選實施例施加的熱輻射防護屏的磁共振成像(MRI)系統的方框圖；

圖2是按本發明的優選實施例的MRI系統的放大的詳細的截面圖；以及

圖3是用NTRS44的MRI系統10和不用NTRS44的MRI系統10的溫度與時間的關系的曲線圖。

具體實施方式