[發明專利]激光光源無效
| 申請號: | 02126135.0 | 申請日: | 2002-07-16 |
| 公開(公告)號: | CN1398030A | 公開(公告)日: | 2003-02-19 |
| 發明(設計)人: | 橫山敏史;北岡康夫;山本和久 | 申請(專利權)人: | 松下電器產業株式會社 |
| 主分類號: | H01S5/026 | 分類號: | H01S5/026;G02B6/42 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 劉宗杰,葉愷東 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 激光 光源 | ||
[發明的詳細說明]
[發明所屬的技術領域]
本發明涉及在副支架上安裝半導體激光器和光波導器件的激光光源。
[現有技術]
為了實現光盤的高密度化和顯示的高清晰化,小型的短波長光源是必要的。作為小型的短波長光源,使用與半導體激光器準相位匹配(Quasi-Phase-Matched)(以下稱“QPM”)方式的光波導型2次諧波發生(Second-Harmonic-Generation)(以下稱“SHG”)器件(光波導型QPM-SHG器件)的相干光源正引人注目。(參照:山本等人,Optics?Letters?Vol.16,No.15,1156(1991))
在圖11中,示出了使用光波導型QPM-SHC器件的藍紫色光源的概略結構。作為半導體激光器,使用了具有分布布喇格反射器(以下稱“DBR”)區的波長可變DBR半導體激光器(以下稱“DBR半導體激光器”)44。DBR半導體激光器44是820nm波段的100mW級的AlGaAs系波長可變DBR半導體激光器,由有源層區45、相位調整區46和DBR區47構成。而且,借助于以一定的比例控制向相位調整區46和DBR區47注入的電流,可以使激射波長連續變化。
作為波長轉換器件的光波導型QPM-SHG器件48,由在作為強電介質基板的X板摻MgO的LiNbO3基板49上形成的光波導50和周期性的極化反轉區51構成。這里,光波導50借助于質子交換形成。DBR半導體激光器44和光波導型QPM-SHG器件48,分別以形成有有源層和光波導50的面面向副支架52的方式固定在副支架52上,從DBR半導體激光器44的出射部53出射的激光直接耦合至光波導型QPM-SHG器件48的光波導入射部54。在使DBR半導體激光器44發光,并同時進行光耦合調整時,對于100mW的激光輸出,有60mW的激光耦合至光波導50內。通過控制向DBR半導體激光器44的相位調整區46和DBR區47注入的電流,使激射波長固定在光波導型QPM-SHG器件48的相位配匹波長上,可以得到20mW左右的、波長為410nm的藍紫光。
[發明所要解決的課題]
下面利用圖8對激光光源的結構和它的制作方法進行說明。
激光光源借助于在副支架52上配置光波導型QPM-SHG器件(光波導型波長轉換器件)48和DBR半導體激光器44制成。這時,用焊錫55作為焊接構件,以形成有有源層56的面與副支架52相向的方式,將DBR半導體激光器44固定在副支架52上。另外,用粘結劑57,以形成有光波導50的面與副支架52相向的方式,將光波導型QPM-SHG器件48固定在副支架52上。光波導型QPM-SHG器件48在垂直方向上的高度用襯墊58調整。
為制作模塊,使用了借助于圖像處理識別在光波導型QPM-SHG器件48和DBR半導體激光器44上形成的對準標記,分別進行定位并安裝的裝置。在這種場合,如何高效率地將從DBR半導體激光器44出射的光耦合至光波導50便成了問題。特別是在由DBR半導體激光器44和光波導型QPM-SHG器件48構成的短波長光源中,由于得到的高次諧波的光功率正比于與光波導50進行光耦合的基波功率的2次方,所以提高光耦合效率以及減小樣品間光耦合效率的分散性特別重要。
為實現高效率的光耦合,減小DBR半導體激光器44的激光出射部59與光波導型QPM-SHG器件48的光波導入射部60的間隔,并且使它們的水平方向(Y方向)以及垂直方向(Z方向)的位置一致是重要的。垂直方向的位置精度特別重要。由于隨著垂直方向的位置偏離,光耦合效率會大為減小,所以光波導型QPM-SHG器件48的光波導入射部60對DBR半導體激光器44的激光出射部59的位置偏離必須保持在±0.2μm以內。
在制作DBR半導體激光器44時,可以以非常高的精度控制從DBR半導體激光器44的表面至激光出射部59的距離da。由于光波導型QPM-SHG器件48上的光波導50在LiNbO3基板49的表面上形成,所以對光波導入射部60的位置也能高精度地控制。由于用于光波導型QPM-SHG器件48的垂直方向的位置調整的襯墊58的大小的分散性在±0.1μm以內,所以能夠高精度地進行光波導入射部60的垂直方向的位置調整。不過為了高精度地進行垂直方向的位置調整,使從DBR半導體激光器44出射的光高效率地光耦合至光波導50,還必須高精度地控制作為DBR半導體激光器44的焊接構件的焊錫55的厚度。
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