[發明專利]高電阻透明導電膜用濺射靶及高電阻透明導電膜的制造方法

有效

• 申請號: 02124433.2
• 申請日: 2002-06-26
• 公開（公告）號: CN1397661A
• 公開（公告）日: 2003-02-19
• 發明（設計）人: 高橋誠一郎;池田真;渡邊弘
• 申請（專利權）人: 三井金屬礦業株式會社
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/08
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司
• 代理人: 戈泊,程偉

技術領域

本發明涉及在制作電阻率約為0.8～10×10^-3Ωcm的高電阻導電膜時所使用的高電阻透明導電膜用濺射靶(Sputtering?targot)及使用它制造高電阻透明導電膜的高電阻透明導電膜的制造方法。

背景技術

由于氧化銦-氧化錫(In₂O₃-SnO₂的復合氧化物，以下稱為‘ITO’)膜的可見光透過性高，且導電性高，所以作為透明導電膜被廣泛應用于液晶顯示裝置、玻璃的防止結霜用發熱膜和紅外線反射膜等。

例如，就平板顯示(FPD)中所使用的透明導電膜來說，選擇低電阻(電阻率約為2×10^-4Ωcm)的透明導電膜。

另一方面，從原理上來看，安裝在這樣的FPD等上而使用的電阻式按鍵操縱板用透明導電膜，作為要求特性，需要高電阻的透明導電膜。然而，目前存在如下問題：若使用被用于FPD的ITO，則必須是非常薄的膜，這樣不能確保按鍵操縱板的強度。

另外，若將濺射靶自身的電阻變為高電阻，就不能使用比高頻磁控管價格便宜的DC磁控管濺射裝置，存在設備投資較大的問題。

發明內容

鑒于這樣的情況，本發明的目的在于提供一種高電阻透明導電膜用濺射靶及高電阻透明導電膜的制造方法，基本上能夠使用DC磁控管濺射裝置，可以制作成透明且高電阻的膜。

為了達到上述目的，本發明的第1方式在于高電阻透明導電膜用濺射靶，是用于形成電阻率約為0.8～10×10^-3Ωcm的高電阻導電膜的高電阻透明導電膜用氧化銦系濺射靶，其特征是，含有氧化銦及根據需要的氧化錫，并且含有絕緣性氧化物。

在該第1方式中，通過在氧化銦系濺射靶中添加絕緣性氧化物，可以不使靶自身的電阻率產生大的變化，而提高所形成的透明導電膜的電阻率。

本發明的第2方式在于高電阻透明導電膜用濺射靶，其特征是，在第1方式中，所述絕緣性氧化物是選自氧化硅、氧化鋁、氧化鉭、氧化鉿、氧化鈮、氧化釔、氧化鈰、氧化鐠、氧化鈹、氧化鎂、氧化鈣、氧化鍶、氧化鋇、氧化鈧、氧化鈦、氧化鋯、氧化釩、氧化硼、氧化鎵、氧化鋅、氧化鉻、氧化錳、氧化鐵、氧化鉬、氧化磷和氧化鑭族元素的至少一種。

在該第2方式中，通過添加氧化硅、氧化鋁、氧化鉭、氧化鈮、氧化釔、氧化鈰、氧化鐠等，可以不使靶自身的電阻率產生大的變化，而提高所形成的透明導電膜的電阻率。

本發明的第3方式在于高電阻透明導電膜用濺射靶，其特征是，在第2方式中，所述絕緣性氧化物是氧化硅。

在該第3方式中，通過添加氧化硅，可以不使靶自身的電阻率產生大的變化，而提高所形成的透明導電膜的電阻率。

本發明的第4方式在于高電阻透明導電膜用濺射靶，其特征是，在第1～3的任一方式中，相對于1摩爾銦，構成所述絕緣性氧化物的元素為0.00001～0.26摩爾。

在該第4方式中，通過添加給定量的絕緣性氧化物，可以不使靶自身的電阻率產生大的變化，而提高所形成的透明導電膜的電阻率。

本發明的第5方式在于高電阻透明導電膜用濺射靶，其特征是，在第1～4的任一方式中，相對于1摩爾銦，含有0～0.3摩爾錫(Sn)。

在該第5方式中，成為以氧化銦為主體、根據需要含有氧化錫的濺射靶。

本發明的第6方式在于高電阻透明導電膜用濺射靶，其特征是，在第1～5的任一方式中，可以通過DC磁控管濺射形成電阻率為0.8～10×10^-3Ωcm的透明導電膜。

在該第6方式中，可以通過DC磁控管濺射制作成高電阻的透明導電膜。

本發明的第7方式在于高電阻透明導電膜的制造方法，其特征是，使用含有氧化銦及根據需要的氧化錫、并且含有絕緣性氧化物的氧化銦系濺射靶，通過DC磁控管濺射形成電阻率為0.8～10×10^-3Ωcm的透明導電膜。

在該第7方式中，通過使用已添加有絕緣性氧化物的氧化銦系濺射靶，可以不使靶自身的電阻率產生大的變化，而由DC磁控管濺射來形成電阻率為0.8～10×10^-3Ωcm的透明導電膜。