[發(fā)明專利]高電阻透明導(dǎo)電膜用濺射靶及高電阻透明導(dǎo)電膜的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 02124433.2
• 申請日: 2002-06-26
• 公開（公告）號: CN1397661A
• 公開（公告）日: 2003-02-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 高橋誠一郎;池田真;渡邊弘
• 申請（專利權(quán)）人: 三井金屬礦業(yè)株式會社
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/08
• 代理公司: 北京紀凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 戈泊,程偉

1.一種高電阻透明導(dǎo)電膜用濺射靶，是用于形成電阻率約為0.8～10×10^-3Ωcm的高電阻導(dǎo)電膜的高電阻透明導(dǎo)電膜用氧化銦系濺射靶，其特征在于：

含有氧化銦及根據(jù)需要的氧化錫，并且含有絕緣性氧化物。

2.如權(quán)利要求1所述的高電阻透明導(dǎo)電膜用濺射靶，其特征在于：

所述絕緣性氧化物是選自氧化硅、氧化鋁、氧化鉭、氧化鉿、氧化鈮、氧化釔、氧化鈰、氧化鐠、氧化鈹、氧化鎂、氧化鈣、氧化鍶、氧化鋇、氧化鈧、氧化鈦、氧化鋯、氧化釩、氧化硼、氧化鎵、氧化鋅、氧化鉻、氧化錳、氧化鐵、氧化鉬、氧化磷和氧化鑭族元素的至少一種。

3.如權(quán)利要求2所述的高電阻透明導(dǎo)電膜用濺射靶，其特征在于：所述絕緣性氧化物是氧化硅。

4.如權(quán)利要求1～3中任意一項所述的高電阻透明導(dǎo)電膜用濺射靶，其特征在于：相對于1摩爾銦，構(gòu)成所述絕緣性氧化物的元素為0.00001～0.26摩爾。

5.如權(quán)利要求1～4中任意一項所述的高電阻透明導(dǎo)電膜用濺射靶，其特征在于：相對于1摩爾銦，含有0～0.3摩爾錫(Sn)。

6.如權(quán)利要求1～5中任意一項所述的高電阻透明導(dǎo)電膜用濺射靶，其特征在于：通過DC磁控管濺射形成電阻率為0.8～10×10^-3Ωcm的透明導(dǎo)電膜。

7.一種高電阻透明導(dǎo)電膜的制造方法，其特征在于：使用含有氧化銦及根據(jù)需要的氧化錫、并且含有絕緣性氧化物的氧化銦系濺射靶，通過DC磁控管濺射形成電阻率為0.8～10×10^-3Ωcm的透明導(dǎo)電膜。

8.如權(quán)利要求7所述的高電阻透明導(dǎo)電膜的制造方法，其特征在于：所述絕緣性氧化物是選自氧化硅、氧化鋁、氧化鉭、氧化鉿、氧化鈮、氧化釔、氧化鈰、氧化鐠、氧化鈹、氧化鎂、氧化鈣、氧化鍶、氧化鋇、氧化鈧、氧化鈦、氧化鋯、氧化釩、氧化硼、氧化鎵、氧化鋅、氧化鉻、氧化錳、氧化鐵、氧化鉬、氧化磷和氧化鑭族元素的至少一種。

9.如權(quán)利要求8所述的高電阻透明導(dǎo)電膜的制造方法，其特征在于：所述絕緣性氧化物是氧化硅。

10.如權(quán)利要求7～9中任意一項所述的高電阻透明導(dǎo)電膜的制造方法，其特征在于：相對于1摩爾銦，構(gòu)成所述絕緣性氧化物的元素為0.00001～0.26摩爾。

11.如權(quán)利要求7～10中任意一項所述的高電阻透明導(dǎo)電膜的制造方法，其特征在于：相對于1摩爾銦，含有0～0.3摩爾錫(Sn)。