[發明專利]半導體存儲器及其老化篩選方法有效
| 申請號: | 02124364.6 | 申請日: | 2002-06-13 |
| 公開(公告)號: | CN1392569A | 公開(公告)日: | 2003-01-22 |
| 發明(設計)人: | 小平覺;上原正也;小林等;熊谷敬 | 申請(專利權)人: | 精工愛普生株式會社 |
| 主分類號: | G11C29/00 | 分類號: | G11C29/00;H01L21/66;G01R31/28 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 存儲器 及其 老化 篩選 方法 | ||
1.一種半導體存儲器,包含多個存儲單元,其特征在于:
包括:
成為所述半導體存儲器的電源端子的第一端子;
成為所述半導體存儲器的接地端子的第二端子;
輸入用于使所述半導體存儲器成為老化篩選狀態的老化篩選狀態信號的第三端子;
輸入來自外部的時鐘信號的第四端子;
在所述老化篩選狀態信號的輸入中,以所述時鐘信號的計數為基礎,生成用于選擇所述多個存儲單元中的各個存儲單元的地址信號的地址信號生成部;
在所述老化篩選狀態信號的輸入中,以所述時鐘信號為基礎,生成數據信號的數據信號生成部;
在用所述地址信號選擇的存儲單元中,寫入所述數據信號的數據的數據寫入部。
2.根據權利要求1所述的半導體存儲器,其特征在于:
所述第一端子、所述第二端子、所述第三端子以及所述第四端子是老化篩選專用;
包括:
與所述第一端子不同,成為所述半導體存儲器的電源端子的第五端子;
與所述第二端子不同,成為所述半導體存儲器的接地端子的第六端子。
3.根據權利要求1或2所述的半導體存儲器,其特征在于:
所述地址信號生成部包含計數器;
來自所述計數器的輸出成為所述地址信號。
4.根據權利要求3所述的半導體存儲器,其特征在于:
所述數據信號生成部包括把來自所述計數器的最終段的觸發器的輸出信號分頻的信號分頻部,以從所述信號分頻部輸出的信號為基礎,生成所述數據信號。
5.根據權利要求1~4中任意一項所述的半導體存儲器,其特征在于:包括:
以所述老化篩選狀態信號為基礎來解除使字線和位線對的選擇期間比周期時間早結束的功能的部件。
6.根據權利要求1~5中任意一項所述的半導體存儲器,其特征在于:包括:
輸入來自外部的地址信號的地址信號輸入電路;
輸入來自外部的數據信號的數據信號輸入電路;
所述地址信號輸入電路根據所述老化篩選狀態信號,禁止來自外部的地址信號的輸入;
所述數據信號輸入電路根據所述老化篩選狀態信號,禁止來自外部的數據信號的輸入。
7.一種半導體存儲器的老化篩選方法,是包含多個存儲單元的半導體存儲器的老化篩選方法,其特征在于:包括:
使所述半導體存儲器成為老化篩選狀態的步驟;
給所述半導體存儲器提供電位的步驟;
在所述老化篩選狀態中,以來自外部的時鐘信號的計數為基礎,生成所述多個存儲單元的各自的地址的步驟;
在所述老化篩選狀態中,以所述時鐘信號為基礎來生成數據的步驟;
在與所述地址對應的存儲單元中寫入所述數據的步驟。
8.根據權利要求7所述的半導體存儲器的老化篩選方法,其特征在于:
解除使字線和位線對的選擇期間比周期時間早結束的功能,進行所述寫入步驟。
9.根據權利要求7或8所述的半導體存儲器的老化篩選方法,其特征在于:
所述寫入步驟包含在所述多個存儲單元中寫入第一電平,然后寫入第二電平的步驟。
10.根據權利要求7~9中任意一項所述的半導體存儲器的老化篩選方法,其特征在于:包括:
在所述老化篩選狀態中,禁止來自外部的地址和數據的輸入的步驟。
11.根據權利要求7~10中任意一項所述的半導體存儲器的老化篩選方法,其特征在于:
所述老化篩選以晶片水平來進行。
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