[發(fā)明專利]化合物半導(dǎo)體裝置的制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 02123315.2
• 申請(qǐng)日: 2002-06-18
• 公開（公告）號(hào): CN1392597A
• 公開（公告）日: 2003-01-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 淺野哲郎;榊原干人
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三洋電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/335
• 分類號(hào): H01L21/335;H01L29/772
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 楊梧,馬高平

1、一種化合物半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

在向一導(dǎo)電型的外延生長(zhǎng)層附著形成柵極的柵格金屬層的工序之前，在預(yù)定的接點(diǎn)區(qū)域下的外延生長(zhǎng)層表面，形成一導(dǎo)電型高濃度區(qū)域；

形成和所述高濃度區(qū)域鄰接的絕緣層；

在所述高濃度區(qū)域上附著所述柵格金屬層，形成第一接點(diǎn)電極；

在所述第一接點(diǎn)電極上附著接點(diǎn)金屬層，形成第二接點(diǎn)電極；

在所述第二接點(diǎn)電極上壓裝接合線。

2、一種化合物半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

在向一導(dǎo)電型的外延生長(zhǎng)層附著形成柵極的柵格金屬層的工序之前，在預(yù)定的接點(diǎn)區(qū)域下及預(yù)定的配線層下的外延生長(zhǎng)層表面，形成一導(dǎo)電型高濃度區(qū)域；

在所述鄰接的高濃度區(qū)域之間形成絕緣層；

在所述高濃度區(qū)域上附著所述柵格金屬層，形成第一接點(diǎn)電極及配線層；

在所述第一接點(diǎn)電極上附著接點(diǎn)金屬層，形成第二接點(diǎn)電極；

在所述第二接點(diǎn)電極上壓裝接合線。

3、一種化合物半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

在GaAs基板上層積緩沖層與一導(dǎo)電型外延生長(zhǎng)層，設(shè)置源極及漏極區(qū)域，與由所述一導(dǎo)電型外延生長(zhǎng)層形成的溝道層鄰接，形成FET的溝道區(qū)域，同時(shí)在預(yù)定的接點(diǎn)區(qū)域下形成高濃度區(qū)域；

在除去所述溝道區(qū)域及所述高濃度區(qū)域的整個(gè)面上形成絕緣層；

在所述源極及漏極區(qū)域，附著作為第一層電極的電阻金屬層，形成第一源極及第一漏極；

在所述溝道層及所述高濃度區(qū)域上，附著作為第二層電極的柵格金屬層，形成柵極及第一接點(diǎn)電極；

在所述第一源極及第一漏極和第一接點(diǎn)電極上，作為第三層電極附著接點(diǎn)金屬層，形成第二源極及第二漏極和第二接點(diǎn)電極；

在所述第二接點(diǎn)電極上壓裝接合線。

4、一種化合物半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

在GaAs基板上層積緩沖層與一導(dǎo)電型外延生長(zhǎng)層，設(shè)置源極及漏極區(qū)域，與由所述一導(dǎo)電型外延生長(zhǎng)層形成的溝道層鄰接，形成FET的溝道區(qū)域，同時(shí)在預(yù)定的接點(diǎn)區(qū)域下及預(yù)定的配線層下，形成高濃度區(qū)域；

在除去所述溝道區(qū)域及所述濃高度區(qū)域的整個(gè)面上形成絕緣層；

在所述源極及漏極區(qū)域，附著作為第柵1層電極的電阻金屬層，形成第一源極及第一漏極；

在所述溝道層及所述高濃度區(qū)域上，附著作為第二層電極的柵格金屬層，形成柵極及第一接點(diǎn)電極及配線層；

在所述第一源極及第一漏極和第一接點(diǎn)電極上，附著作為第三層電極的接點(diǎn)金屬層，形成第二源極及第二漏極和第二接點(diǎn)電極；

在所述第二接點(diǎn)電極上壓裝接合線。

5、權(quán)利要求書3或4所述的化合物半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述緩沖層利用外延生長(zhǎng)層生長(zhǎng)而形成。

6、權(quán)利要求書1或3所述的化合物半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于：所述高濃度區(qū)域從所述接點(diǎn)電極露出設(shè)置。

7、權(quán)利要求書2或4所述的化合物半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述高濃度區(qū)域從所述接點(diǎn)電極及所述配線層露出設(shè)置。

8、權(quán)利要求書1或3所述的化合物半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述高濃度區(qū)域在所述接點(diǎn)電極周端部之下，一部分從所述接點(diǎn)電極露出設(shè)置。

9、權(quán)利要求書2或4所述的化合物半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述高濃度區(qū)域在所述接點(diǎn)電極周端部及所述配線層周端部之下，一部分從所述接點(diǎn)電極及所述配電層露出設(shè)置。

10、權(quán)利要求書1到4任一項(xiàng)所述的化合物半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述絕緣層利用離子注入設(shè)置。

11、權(quán)利要求書1到4任一項(xiàng)所述的化合物半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述柵格金屬層包括以下工序，在蒸鍍最下層為Pt的金屬多層膜之后，進(jìn)行熱處理，將所述柵極的一部分埋入所述一導(dǎo)電型外延生長(zhǎng)層表面。

12、權(quán)利要求書11所述的化合物半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在所述一導(dǎo)電型外延生長(zhǎng)層表面層積無(wú)雜質(zhì)外延生長(zhǎng)層，所述柵極埋入到所述無(wú)雜質(zhì)外延生長(zhǎng)層下端附近。