[發明專利]化合物半導體裝置的制造方法

無效

• 申請號: 02123315.2
• 申請日: 2002-06-18
• 公開（公告）號: CN1392597A
• 公開（公告）日: 2003-01-22
• 發明（設計）人: 淺野哲郎;榊原干人
• 申請（專利權）人: 三洋電機株式會社
• 主分類號: H01L21/335
• 分類號: H01L21/335;H01L29/772
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 楊梧,馬高平

1、一種化合物半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

在向一導電型的外延生長層附著形成柵極的柵格金屬層的工序之前，在預定的接點區域下的外延生長層表面，形成一導電型高濃度區域；

形成和所述高濃度區域鄰接的絕緣層；

在所述高濃度區域上附著所述柵格金屬層，形成第一接點電極；

在所述第一接點電極上附著接點金屬層，形成第二接點電極；

在所述第二接點電極上壓裝接合線。

2、一種化合物半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

在向一導電型的外延生長層附著形成柵極的柵格金屬層的工序之前，在預定的接點區域下及預定的配線層下的外延生長層表面，形成一導電型高濃度區域；

在所述鄰接的高濃度區域之間形成絕緣層；

在所述高濃度區域上附著所述柵格金屬層，形成第一接點電極及配線層；

在所述第一接點電極上附著接點金屬層，形成第二接點電極；

在所述第二接點電極上壓裝接合線。

3、一種化合物半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

在GaAs基板上層積緩沖層與一導電型外延生長層，設置源極及漏極區域，與由所述一導電型外延生長層形成的溝道層鄰接，形成FET的溝道區域，同時在預定的接點區域下形成高濃度區域；

在除去所述溝道區域及所述高濃度區域的整個面上形成絕緣層；

在所述源極及漏極區域，附著作為第一層電極的電阻金屬層，形成第一源極及第一漏極；

在所述溝道層及所述高濃度區域上，附著作為第二層電極的柵格金屬層，形成柵極及第一接點電極；

在所述第一源極及第一漏極和第一接點電極上，作為第三層電極附著接點金屬層，形成第二源極及第二漏極和第二接點電極；

在所述第二接點電極上壓裝接合線。

4、一種化合物半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

在GaAs基板上層積緩沖層與一導電型外延生長層，設置源極及漏極區域，與由所述一導電型外延生長層形成的溝道層鄰接，形成FET的溝道區域，同時在預定的接點區域下及預定的配線層下，形成高濃度區域；

在除去所述溝道區域及所述濃高度區域的整個面上形成絕緣層；

在所述源極及漏極區域，附著作為第柵1層電極的電阻金屬層，形成第一源極及第一漏極；

在所述溝道層及所述高濃度區域上，附著作為第二層電極的柵格金屬層，形成柵極及第一接點電極及配線層；

在所述第一源極及第一漏極和第一接點電極上，附著作為第三層電極的接點金屬層，形成第二源極及第二漏極和第二接點電極；

在所述第二接點電極上壓裝接合線。

5、權利要求書3或4所述的化合物半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述緩沖層利用外延生長層生長而形成。

6、權利要求書1或3所述的化合物半導體裝置的制造方法，其特征在于：所述高濃度區域從所述接點電極露出設置。

7、權利要求書2或4所述的化合物半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述高濃度區域從所述接點電極及所述配線層露出設置。

8、權利要求書1或3所述的化合物半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述高濃度區域在所述接點電極周端部之下，一部分從所述接點電極露出設置。

9、權利要求書2或4所述的化合物半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述高濃度區域在所述接點電極周端部及所述配線層周端部之下，一部分從所述接點電極及所述配電層露出設置。

10、權利要求書1到4任一項所述的化合物半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述絕緣層利用離子注入設置。

11、權利要求書1到4任一項所述的化合物半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述柵格金屬層包括以下工序，在蒸鍍最下層為Pt的金屬多層膜之后，進行熱處理，將所述柵極的一部分埋入所述一導電型外延生長層表面。

12、權利要求書11所述的化合物半導體裝置的制造方法，其特征在于，在所述一導電型外延生長層表面層積無雜質外延生長層，所述柵極埋入到所述無雜質外延生長層下端附近。