[發(fā)明專利]基板處理裝置

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 02121837.4
• 申請(qǐng)日: 2002-06-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN1391139A
• 公開(kāi)（公告）日: 2003-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 菅長(zhǎng)大輔;井上浩一;星辰也;近藤友喜
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 住友精密工業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G03F7/26
• 分類號(hào): G03F7/26;H01L21/31;G02F1/1333
• 代理公司: 北京三幸商標(biāo)專利事務(wù)所
• 代理人: 劉激揚(yáng)

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及在液晶顯示裝置的玻璃基板的制造等中使用的水平傳送式的基板處理裝置。

背景技術(shù)

用于液晶顯示裝置的玻璃基板通過(guò)在作為素材的玻璃基板的表面上重復(fù)實(shí)施蝕刻、剝離等化學(xué)處理來(lái)制造。該處理裝置大致分為干式和濕式，濕式又分為間歇式和葉片式。而且，葉片式被細(xì)分為旋轉(zhuǎn)式和滾輪傳送等的傳送式。

在這些基板處理裝置中，傳送式的裝置具有將基板大致向水平方向傳送，同時(shí)對(duì)該基板的表面供給處理液的基本結(jié)構(gòu)，由于效率高，所以從以前就被用于蝕刻處理和剝離處理。

在用于蝕刻處理的傳送式的基板處理裝置中，從在基板傳送線的上方矩陣狀配置的多個(gè)噴射噴嘴中噴出蝕刻液，通過(guò)使基板在該蝕刻液中通過(guò)，向基板的整個(gè)表面供給蝕刻液。通過(guò)該噴淋處理，除涂敷了掩模材料的部分以外的基板的表面有選擇地被蝕刻。如果蝕刻結(jié)束，則通過(guò)接續(xù)的噴淋來(lái)進(jìn)行清洗處理。用于剝離處理的也是基本相同地構(gòu)成。

但是，液晶顯示裝置的玻璃基板在推進(jìn)基板的大型化的同時(shí)還在推進(jìn)電路的高精細(xì)化，特別是隨著高精細(xì)化，開(kāi)始使用低溫多晶硅作為玻璃基板。此外，在絕緣膜的SiO₂膜上形成接觸孔的操作隨著基板的大型化，從干式蝕刻轉(zhuǎn)換到使用緩沖氟酸的濕式蝕刻。

但是，在低溫多晶硅構(gòu)成的玻璃基板上，如果進(jìn)行氟酸系藥液的蝕刻，則多晶硅與氟酸反應(yīng)，有在玻璃基板的背面出現(xiàn)因浸蝕玻璃產(chǎn)生污點(diǎn)的問(wèn)題。

即，如果對(duì)基板的表面噴淋蝕刻液，則一部分蝕刻液回流到背面?zhèn)取４送猓诒趁娴膶挾确较蚨鄠€(gè)地方接觸傳送滾輪，存在隨著該接觸而附著蝕刻液的現(xiàn)象。如果在基板的干燥的背面上局部附著蝕刻液，則該部分被浸蝕，會(huì)出現(xiàn)污點(diǎn)。該污點(diǎn)在液晶產(chǎn)品由背光從背后照明時(shí)產(chǎn)生不勻。因此，需要極力避免隨著表面的蝕刻處理因背面的局部浸蝕造成的污點(diǎn)，由于這種需要，對(duì)背面也噴淋蝕刻液。

但是，即使進(jìn)行這樣的背面噴淋，也不能完全避免因背面的局部浸蝕造成的污點(diǎn)。這是因?yàn)樵诒趁鎳娏苤校瑐魉蜐L輪等成為障礙，不能使蝕刻液均勻地附著。此外，在噴淋處理開(kāi)始時(shí)，蝕刻液的細(xì)小液滴沖擊的部分成為處理不勻，即使其后的噴淋處理也不能消除，在蝕刻后還殘留細(xì)小的污點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種基板處理裝置，在使用因處理液而浸蝕的基板的情況下，可以防止發(fā)生因該基板背面的局部浸蝕造成的污點(diǎn)。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的基板處理裝置，在將基板大致沿水平方向傳送并通過(guò)多個(gè)處理部，在各處理部將處理液供給到基板的表面的傳送式的基板處理裝置中，在多個(gè)處理部中的至少一個(gè)處理部的入口部分，設(shè)置配置于基板的傳送線下方、使處理液溢出并接觸基板背面整個(gè)寬度的浸泡槽。

在本發(fā)明的基板處理裝置中，通過(guò)將進(jìn)入到處理部的基板在浸泡槽上通過(guò)，使該基板的背面從前端部向后端部依次遍及整個(gè)寬度均勻地被處理液浸潤(rùn)。一旦使背面均勻地浸潤(rùn)，則只要其背面不干燥，即使因處理液的回流或與傳送線接觸而造成處理液局部附著，也不產(chǎn)生污點(diǎn)。

如果在所述浸泡槽的出口側(cè)，設(shè)置從基板的行進(jìn)方向和與該行進(jìn)方向成直角的方向上排列的多個(gè)噴射噴嘴向基板的整個(gè)背面供給處理液的噴淋組件，則可以有效地防止通過(guò)浸泡槽浸潤(rùn)的背面的干燥。

本發(fā)明的基板處理裝置可應(yīng)用于蝕刻裝置，但也可以應(yīng)用于剝離裝置。在蝕刻裝置中，所述浸泡槽在蝕刻部和水洗部中十分有效。剝離裝置是在對(duì)基板的表面供給剝離液后，對(duì)該表面進(jìn)行水洗的結(jié)構(gòu)，但在供給剝離液的剝離部和水洗部之間，有夾置置換部的情況和不夾置置換部的情況。置換部是在剝離液與水混合時(shí)產(chǎn)生問(wèn)題的情況下，將基板表面上的剝離液置換成不產(chǎn)生問(wèn)題的藥液的部分。剝離裝置中的浸泡槽在剝離部和水洗部中是有效的，而在它們之間夾置置換部的情況下，對(duì)于該置換部也有效。

作為與水混合產(chǎn)生問(wèn)題的剝離液，例如有MEA(單乙醇胺)、或MEA和DMSO(二甲基亞砜)的混合液等。如果MEA與水混合，則變?yōu)閺?qiáng)堿，對(duì)設(shè)備等產(chǎn)生損傷。相對(duì)于此，水系剝離液不產(chǎn)生問(wèn)題，且不需置換。作為置換液，對(duì)于上述兩種剝離液來(lái)說(shuō)，通常使用DMSO。對(duì)于其他的剝離液來(lái)說(shuō)，可使用IPA(異戊二烯乙醇)等。

通過(guò)在剝離裝置的剝離部和置換部的入口部分設(shè)置浸泡槽，與在蝕刻部的入口部分設(shè)置浸泡槽的情況同樣，可以防止背面污點(diǎn)。在剝離處理中，寧可剝離液和置換液的藥液溫度為80～90°，比蝕刻液溫度高，但從容易干燥基板的背面來(lái)看，有容易發(fā)生背面污點(diǎn)的傾向。在這方面，也可以說(shuō)浸泡槽對(duì)剝離裝置是有效的。順便說(shuō)明一下，蝕刻液的溫度為40°左右。