[發(fā)明專利]曝光掩模的圖案修正方法和半導(dǎo)體器件的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 02121806.4
• 申請(qǐng)日: 2002-04-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN1383188A
• 公開(kāi)（公告）日: 2002-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 橋本耕治;井上壯一;田中聰;臼井聰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社東芝
• 主分類號(hào): H01L21/00
• 分類號(hào): H01L21/00;H01L21/027;G03F1/00
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 王以平

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)基于并主張2001年4月23日提交的在先日本專利申請(qǐng)2001-124683的優(yōu)先權(quán)權(quán)益，其全部?jī)?nèi)容在此參考引用。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種曝光掩模的圖案修正方法、圖案形成方法和程序，具體而言，涉及一種減小鄰近效應(yīng)影響的曝光掩模的圖案修正方法、圖案形成方法和計(jì)算機(jī)可讀取的記錄媒體。

背景技術(shù)

近年來(lái)，對(duì)半導(dǎo)體器件的電路圖案尺寸細(xì)微化的要求加速。同時(shí)，即使按設(shè)計(jì)圖案制作曝光掩模，在晶片上也會(huì)產(chǎn)生所謂不能按設(shè)計(jì)圖案形成圖案的現(xiàn)象。該現(xiàn)象被稱為晶片上的OPE(光學(xué)鄰近效應(yīng))。

所述OPE大致起因于掩模工序、平版印刷工序、蝕刻工序。具體而言，若為所述平版印刷工序的情況，則起因于光刻膠的顯影，若為所述蝕刻工序的情況，則起因于加載效應(yīng)。雖然所述平版印刷工序是所述OPE的光學(xué)主要原因，但所述掩模工序、所述蝕刻工序不是所述OPE的光學(xué)的主要原因。

作為修正所述OPE的技術(shù)，提出了各種OPC(光學(xué)鄰近修正)技術(shù)。圖16表示進(jìn)行所述OPC的修正規(guī)則(在規(guī)則庫(kù)OPC的情況下，下面稱為OPC規(guī)則。)或修正模塊(在規(guī)則庫(kù)OPC的情況下，下面稱為OPC模塊。)的制作順序和所述OPC規(guī)則或所述OPC模塊(OPC規(guī)則/模塊)對(duì)制品的反饋。

如圖16所示，當(dāng)制作OPC規(guī)則/模塊時(shí)，使用設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)和與所述制品相同的蝕刻工序來(lái)制作被稱為OPC?TEG掩模的評(píng)價(jià)掩模。接著，使用所述評(píng)價(jià)掩模和與所述制品相同的平版印刷工序，在晶片上形成抗蝕劑圖案。之后，使用所述抗蝕劑圖案和與所述制品相同的蝕刻工序來(lái)加工所述晶片，制作評(píng)價(jià)晶片。然后，對(duì)所述評(píng)價(jià)晶片進(jìn)行OPE評(píng)價(jià)，制作使形成于所述評(píng)價(jià)晶片上的圖案和所述設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)的圖案一致的規(guī)則/模塊，即OPC規(guī)則/模塊。所述OPC規(guī)則/模塊適用于制品的主體掩模的制作。

圖17表示現(xiàn)有的得到OPC模塊的方法。在所述方法中，選擇復(fù)高斯函數(shù)G的系數(shù)Ci、ΔLi，使實(shí)驗(yàn)所得的晶片尺寸(CDexp)和計(jì)算所得的晶片尺寸(CDsim)一致(CDexp＝CDsim)。

實(shí)施OPC的制品單元工序組(掩模工序、平版印刷工序、蝕刻印刷工序等)與為了獲得OPC規(guī)則/模塊而制作的評(píng)價(jià)掩模的單元工序組必須相同。

理由如下：當(dāng)這些單元工序組不同時(shí)，所述評(píng)價(jià)晶片的OPE與所述制品的OPE不同，有可能制作的OPC規(guī)則/模塊變得無(wú)效。

構(gòu)成所述制品的所述單元工序組的多個(gè)單元工序(掩模工序、平版印刷工序、蝕刻印刷工序)與開(kāi)發(fā)的流程同時(shí)進(jìn)步。因此，在暫時(shí)確定OPC規(guī)則/模塊后，在所述制品的所述多個(gè)單元工序的任一個(gè)工序中都會(huì)產(chǎn)生變更。

此時(shí)，在現(xiàn)有技術(shù)中，使用與包含產(chǎn)生變更的單元工序的制品相同的單元工序組來(lái)制作新的評(píng)價(jià)晶片，從所述評(píng)價(jià)晶片的OPE評(píng)價(jià)結(jié)果來(lái)制作新的OPC規(guī)則/模塊。

但是，因?yàn)樵贠PC規(guī)則/模塊的制作中花費(fèi)時(shí)間，在實(shí)施反映所述新的OPC規(guī)則/模塊的制品的圖案形成方法之前，存在花費(fèi)時(shí)間的問(wèn)題。

發(fā)明概述

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的曝光掩模的圖案修正方法包括：準(zhǔn)備包含使用曝光掩模而在襯底上形成圖案的多個(gè)單元工序的單元工序組，所述多個(gè)單元工序包括關(guān)于所述曝光掩模制造的單元工序，關(guān)于使用所述曝光掩模的平版印刷的單元工序和關(guān)于所述襯底的蝕刻的單元工序；在所述多個(gè)單元工序中的至少一個(gè)單元工序中產(chǎn)生變更的情況下，使用第一和第二鄰近效應(yīng)數(shù)據(jù)來(lái)設(shè)定在所述曝光掩模中實(shí)施鄰近效應(yīng)修正用的修正規(guī)則或修正模塊，所述第一鄰近效應(yīng)數(shù)據(jù)是關(guān)于起因于產(chǎn)生所述變更前的所述至少一個(gè)單元工序的鄰近效應(yīng)的數(shù)據(jù)，所述第二鄰近效應(yīng)數(shù)據(jù)是關(guān)于起因于產(chǎn)生所述變更后的所述至少一個(gè)單元工序的鄰近效應(yīng)的數(shù)據(jù)；使用所述修正規(guī)則或所述修正模塊，在所述曝光掩模中實(shí)施鄰近效應(yīng)修正。