[發明專利]曝光掩模的圖案修正方法和半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 02121806.4
• 申請日: 2002-04-23
• 公開（公告）號: CN1383188A
• 公開（公告）日: 2002-12-04
• 發明（設計）人: 橋本耕治;井上壯一;田中聰;臼井聰
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/027;G03F1/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王以平

1.一種曝光掩模的圖案修正方法，包括：

準備包含使用曝光掩模在襯底上形成圖案的多個單元工序的單元工序組，所述多個單元工序包括關于所述曝光掩模制造的單元工序、關于使用所述曝光掩模的平版印刷的單元工序和關于所述襯底的蝕刻的單元工序；

在所述多個單元工序中的至少一個單元工序中產生變更的情況下，使用第一和第二鄰近效應數據來設定在所述曝光掩模中實施鄰近效應修正用的修正規則或修正模塊，所述第一鄰近效應數據是關于起因于產生所述變更前的所述至少一個單元工序的鄰近效應的數據，所述第二鄰近效應數據是關于起因于產生所述變更后的所述至少一個單元工序的鄰近效應的數據；以及

使用所述修正規則或所述修正模塊，在所述曝光掩模中實施鄰近效應修正。

2.根據權利要求1所述的曝光掩模的圖案修正方法，其中，所述第一和第二鄰近效應數據包含實驗數據或模擬數據。

3.根據權利要求1所述的曝光掩模的圖案修正方法，其中，所述第二鄰近效應數據包含使用相關系數取得的數據，所述相關系數是在產生所述變更后的所述至少一個單元工序和產生所述變更后的所述至少一個單元工序后執行的單元工序之間的系數。

4.根據權利要求2所述的曝光掩模的圖案修正方法，其中，所述第二鄰近效應數據包含使用相關系數取得的數據，所述相關系數是在產生所述變更后的所述至少一個單元工序和產生所述變更后的所述至少一個單元工序后執行的單元工序之間的系數。

5.根據權利要求1所述的曝光掩模的圖案修正方法，其中，在所述多個單元工序中的兩個以上的單元工序中產生變更的情況下，對平均一個所述曝光掩模實施修正起因于所述兩個以上單元程序的鄰近效應的兩個以上的鄰近效應修正。

6.根據權利要求2所述的曝光掩模的圖案修正方法，其中，在所述多個單元工序中的兩個以上的單元工序中產生變更的情況下，對平均一個所述曝光掩模實施修正起因于所述兩個以上單元程序的鄰近效應的兩個以上的鄰近效應修正。

7.根據權利要求3所述的曝光掩模的圖案修正方法，其中，在所述多個單元工序中的兩個以上的單元工序中產生變更的情況下，對平均一個所述曝光掩模實施修正起因于所述兩個以上單元程序的鄰近效應的兩個以上的鄰近效應修正。

8.根據權利要求1所述的曝光掩模的圖案修正方法，其中，在關于所述曝光掩模的制造的所述單元工序、關于使用所述曝光掩模的平版印刷的所述單元工序和關于所述襯底的蝕刻的所述單元工序中產生變更的情況下，對所述曝光掩模實施修正起因于關于所述襯底蝕刻的所述單元工序的鄰近效應的鄰近效應修正，對所述曝光掩模實施修正起因于將關于所述曝光掩模制造的所述單元工序和關于使用所述曝光掩模的平版印刷的所述單元工序統一成一個的工序的鄰近效應的鄰近效應修正。

9.根據權利要求2所述的曝光掩模的圖案修正方法，其中，在關于所述曝光掩模的制造的所述單元工序、關于使用所述曝光掩模的平版印刷的所述單元工序和關于所述襯底的蝕刻的所述單元工序中產生變更的情況下，對所述曝光掩模實施修正起因于關于所述襯底蝕刻的所述單元工序的鄰近效應的鄰近效應修正，對所述曝光掩模實施修正起因于將關于所述曝光掩模制造的所述單元序和關于使用所述曝光掩模的平版印刷的所述單元工序統一成一個的工序的鄰近效應的鄰近效應修正。

10.根據權利要求3所述的曝光掩模的圖案修正方法，其中，在關于所述曝光掩模的制造的所述單元工序、關于使用所述曝光掩模的平版印刷的所述單元工序和關于所述襯底的蝕刻的所述單元工序中產生變更的情況下，對所述曝光掩模實施修正起因于關于所述襯底蝕刻的所述單元工序的鄰近效應的鄰近效應修正，對所述曝光掩模實施修正起因于將關于所述曝光掩模制造的所述單元工序和關于使用所述曝光掩模的平版印刷的所述單元工序統一成一個的工序的鄰近效應的鄰近效應修正。

11.根據權利要求1所述的曝光掩模的圖案修正方法，其中，所述第一和第二鄰近效應數據包含關于起因于所述襯底上的所述圖案覆蓋率的鄰近效應的數據。

12.根據權利要求2所述的曝光掩模的圖案修正方法，其中，所述第二鄰近效應數據包含關于起因于所述襯底上的所述圖案覆蓋率的鄰近效應的數據。