[發明專利]陶瓷電子部件及其制造方法有效
| 申請號： | 02118311.2 | 申請日： | 2002-03-25 |
| 公開（公告）號： | CN1379421A | 公開（公告）日： | 2002-11-13 |
| 發明（設計）人： | 真田幸雄;齊藤芳則 | 申請（專利權）人： | 株式會社村田制作所 |
| 主分類號： | H01G4/005 | 分類號： | H01G4/005;H01G4/30;H01F17/00;H01C7/00;H01C1/14 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所 | 代理人： | 陳劍華 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 陶瓷 電子 部件 及其 制造 方法 | ||
1.一種陶瓷電子部件的制造方法，
所述陶瓷電子部件具有陶瓷基體、在該陶瓷基體的端面上形成的外部電極和在該外部電極上形成的鍍膜，
所述方法包括以下工序：
用防水處理劑對上述形成于陶瓷基體上的外部電極上進行防水處理，形成防止鍍液侵入的薄膜，
對該外部電極進行電鍍處理；
其特征是，所述防水處理劑含有能改善對外部電極的吸附性的官能團和具有疏水性的官能團。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征是，能改善吸附性的官能團是選自羥基、氨基、巰基中的至少一種，具有疏水性的官能團選自烷基、乙烯基、苯基、全氟基中的至少一種。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征是，所述防水處理劑用Ra-(CH2)-Si-(O-Rb)3表示，式中，Ra是具有疏水性的官能團，Rb官能團的至少一個通過水解而轉換成羥基。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征是，在對陶瓷基體進行防水處理時，使用上述轉換成羥基的基團相當于水解前的基團的2-80％的防水處理劑。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征是，所述陶瓷基體具有多孔表面。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征是，在形成用于防止鍍液侵入的薄膜的工序之后，還有通過加熱使上述防水處理劑縮聚、將外部電極和防水處理劑共價結合的工序。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征是，所述陶瓷基體由陶瓷和內部電極組成。
8.根據權利要求1所述的方法，其特征是，所述外部電極通過涂敷電極糊、燒結而成。
9.一種陶瓷電子部件，用權利要求1所述的陶瓷電子部件的制造方法制成。
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