[發明專利]電力半導體器件

有效

• 申請號: 02106147.5
• 申請日: 2002-04-05
• 公開（公告）號: CN1379479A
• 公開（公告）日: 2002-11-13
• 發明（設計）人: 服部秀隆
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L29/72
• 分類號: H01L29/72;H01L29/78;H01L21/328;H01L21/336
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王永剛

1.一種電力半導體器件，由下述部分構成：

含有第1導電類型的雜質的第1基極層，在厚度方向上具有連續變化的濃度梯度；

在上述第1基極層的一方的表面上形成的含有第2導電類型的雜質的第2基極層；

從上述第2基極層的表面開始貫通上述第2基極層達到上述第1基極層的深度的溝槽；

使得接連到上述溝槽上那樣地在上述第2基極層的表面上形成的含有第1導電類型的雜質的發射極層；

在上述溝槽的內部形成的柵極電極；

在上述第1基極層的另一方的表面上邊形成、含有第2導電類型的雜質、厚度被形成為在1微米以下的集電極層；

在上述發射極層上邊和上述第2基極層上邊連續地形成的第1主電極；

在上述集電極層上邊形成的第2主電極。

2.根據權利要求1所述的電力半導體器件，上述第1基極層的位于上述集電極層一側的一方的端部的上述雜質的濃度是從1e15/cm³到5e16/cm³的范圍，上述第1基極層的位于上述第2基極層一側的另一方的端部的上述雜質的濃度為1e11/cm³。

3.根據權利要求1所述的電力半導體器件，上述第1基極層的位于上述第2基極層一側的一方的端部的電阻率為100Ω·cm以上。

4.根據權利要求1所述的電力半導體器件，上述集電極層的上述第2主電極一側的雜質的表面濃度為1e17/cm³以上。

5.根據權利要求1所述的電力半導體器件，在距上述第1基極層的位于上述第2基極層一側的一方的端部為30微米的深度以下，電阻率在100Ω·cm以上，而且是恒定的。

6.根據權利要求1所述的電力半導體器件，上述第1導電類型是n型，上述第2導電類型是p型。

7.一種電力半導體器件，由下述部分構成：

含有第1導電類型的雜質的第1基極層，在厚度方向上具有連續變化的濃度梯度；

在上述第1基極層的一方的表面上形成的含有第2導電類型的雜質的第2基極層；

在上述第2基極層的表面上形成的含有第1導電類型的雜質的發射極層；

至少在上述第2基極層上邊與上述發射極層上邊之間連續地形成的柵極電極；

在上述第1基極層的另一方的表面上邊形成、含有第2導電類型的雜質、厚度被形成為在1微米以下的集電極層；

在上述第2基極層上邊形成的第1主電極；

在上述集電極層上邊形成的第2主電極。

8.根據權利要求7所述的電力半導體器件，上述第1基極層的位于上述集電極層一側的一方的端部的上述雜質的濃度是從1e15/cm³到5e16/cm³的范圍，上述第1基極層的位于上述第2基極層一側的另一方的端部的上述雜質的濃度為1e11/cm³。

9.根據權利要求7所述的電力半導體器件，上述第1基極層的位于上述第2基極層一側的一方的端部的電阻率為100Ω·cm以上。

10.根據權利要求7所述的電力半導體器件，上述集電極層的上述第2主電極一側的雜質的表面濃度為1e17/cm³以上。

11.根據權利要求7所述的電力半導體器件，在距上述第1基極層的位于上述第2基極層一側的一方的端部為30微米的深度以下，電阻率在100Ω·cm以上，而且是恒定的。

12.根據權利要求7所述的電力半導體器件，上述第1導電類型是n型，上述第2導電類型是p型。