[發明專利]清除FAMOS存儲單元及相應存儲單元的方法

無效

• 申請號: 02105498.3
• 申請日: 2002-04-05
• 公開（公告）號: CN1388575A
• 公開（公告）日: 2003-01-01
• 發明（設計）人: 里夏爾·富爾內爾;西里爾·德雷;德尼埃爾·卡斯帕
• 申請（專利權）人: ST微電子公司
• 主分類號: H01L21/82
• 分類號: H01L21/82
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 戎志敏

1.一種清除FAMOS存儲單元的方法，其特征在于所述的存儲單元(CM)以電氣方式清除。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，單元(CM)包括在半導體基片上形成的PMOS晶體管，存儲單元通過向基片施加比向源極和漏極施加的電壓中的比較低的電壓至少高4伏的電壓來清除，并且所施加電壓低于預定的限制值，高于此值單元就會被毀。

3.根據權利要求2的所述方法，其特征在于，向基片施加比向源極和漏極施加的電壓中的較低的電壓至少高6伏的電壓(VB)。

4，根據權利要求2或3所述的方法，其特征在于，預定的限制電壓的數量級為10伏。

5.根據權利要求2至4任一權利要求所述的方法，其特征在于在源極與漏極之間施加非零的正壓差。

6.根據權利要求5的所述方法，其特征在于，電壓施加于源極并且電壓施加于漏極，乃致源極電壓與漏極電壓間的差值低于預定的閥值。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述預定閥值的數量級為1伏。

8.根據權利要求2至4中任一權利要求所述的方法，其特征在于，在清除期間，可變的壓差被施加于源極與漏極之間。

9.根據前面的任一權利要求所述的方法，其特征在于，存儲單元的PMOS晶體管有環狀結構，在中心處包括由柵極(20)圍繞的電極(10)和外圍電極(30)。

10.一種存儲設備，包括FAMOS存儲單元，其特征在于存儲單元(CM)是用電氣方式清除的。

11.根據權利要求10所述的設備，其特征在于，單元包括在半導體基片上形成的PMOS晶體管，設備包括清除裝置(MEF)，用于向基片施加比施加于源極與漏極的電壓中的較低的電壓至少高4伏并且低于預定的限制電壓的電壓，超出限制電壓單元就會被毀。

12.根據權利要求11所述的設備，其特征在于，清除裝置(MEF)向基片提供比向源極與漏極提供的電壓中的較低的電壓至少高6伏的電壓。

13.根據權利要求11或12所述的設備，其特征在于，預定的限制電壓的數量級為10伏。

14.根據權利要求11至13中的任一權利要求所述的設備，其特征在于，清除裝置用于向源極提供電壓并向漏極提供電壓，乃至源極電壓與漏極電壓間的差值是非零的正值。

15.根據權利要求14所述的設備，其特征在于，清除裝置用于向源極提供電壓并向漏極提供電壓，乃至源極電壓與漏極電壓之間的差值小于預定的閥值。

16.根據權利要求15所述的設備，其特征在于，所述的預定閥值數量級為1伏。

17.根據權利要求11至13的任一權利要求所述的設備，其特征在于，清除裝置用于在清除期間在源極與漏極之間提供可變的電壓差。

18.根據權利要求10至17的任一權利要求所述的設備，其特征在于，存儲單元的PMOS晶體管有環狀結構，包括在中心位置由柵極(20)圍繞的電極和外圍電極(30)。

19.根據權利要求10至18的任一權利要求所述的設備，其特征在于，設備包括把數據寫入存儲單元的編程裝置，用于讀出存儲單元內容的讀出裝置，以及用于把編程，讀出與清涂裝置有選擇地與存儲單元連接的控制裝置。

20.根據權利要求11至19的任一權利要求所述的設備，其特征在于，設備包括多個電可清除的FAMOS存儲單元。

21.一種集成電路，包括根據權利要求10至20中任一權利要求的存儲設備。