[發明專利]從半導體晶片上清除無用物質的方法和裝置

有效

• 申請號: 02103461.3
• 申請日: 2002-01-30
• 公開（公告）號: CN1391262A
• 公開（公告）日: 2003-01-15
• 發明（設計）人: 山本雅之;雨谷稔
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: H01L21/302
• 分類號: H01L21/302;H01L21/304
• 代理公司: 上海專利商標事務所
• 代理人: 吳明華

技術領域

本發明涉及使用剝離帶從半導體晶片(下面簡稱晶片)的表面上清除無用物質、諸如保護帶、保護層等的方法和使用這種方法的裝置。

技術背景

通常，在圖形形成工藝之后研磨晶片的背面(背后研磨)時，首先在晶片的表面提供一寬的保護帶，從晶片的外周邊突出的一部分保護帶沿著晶片周邊被切割掉，然后對晶片進行研磨處理，而它的整個表面被保護帶保護，且通過一吸盤被吸力支承在其表面上。然后，從晶片的表面剝離和清除現在已是無用物質的保護帶。

使用剝離帶的清除方法以剝掉保護帶的裝置的形式出現，它的外觀如圖30所示。在該清除方法里，將具有比保護帶P更強粘性的剝離帶T提供給粘結在晶片W表面的保護帶(無用物質)P。剝離帶T被卷起，同時剝離輥40在晶片上滾動，并在圖30中向右移動，由此，如圖30中的虛線所示，保護帶P隨剝離帶T一起被剝離。

這樣，剝離帶T隨剝離輥40的曲率被卷繞。在保護帶P從晶片W的表面被剝離的一點處，保護帶P相對于晶片表面的剝離角很小，接近于零，而剝離力以幾乎垂直于晶片W的方向施加。結果，在晶片W薄弱處，如圖31所示，晶片可能在點A處破裂。

此外，如圖32所示，具有斜邊b(該斜邊是通過傾斜切割外周邊形成的)的晶片W可能被背后研磨至一大的程度、到達斜邊b的水平G處。對于這種薄的晶片W，如圖33所示，保護帶P的突出端部Pa可能下降并粘附在斜邊b上。在這種情況下，在端部開始剝離保護帶P可能是困難的。當剝離帶T隨沿這種狀態滾動的剝離輥40卷起時，晶片W很容易破裂。

上述現象、即剝離帶被剝離時施加的帶子剝離力使晶片破裂也會在剝離帶直接提供給晶片的表面、以便用剝離帶清除留在晶片表面的保護層(無用物質)時發生。

本發明已經考慮到上述現有技術的情況，其目的是提供一種利用剝離帶從晶片上剝離和清除無用物質的清除方法和裝置，同時避免因帶子剝離力而使晶片破裂。

發明內容

本發明提供一種通過提供剝離帶給半導體晶片從半導體晶片上清除無用物質、以及從半導體晶片上與剝離帶一起剝離無用物質的方法，其中，一邊緣件被設置成與提供給半導體晶片的剝離帶表面接觸，以及剝離帶被剝離，同時以邊緣件末端提供的剝離角被折回。

在上述方法中，提供給晶片的剝離帶在邊緣件末端提供的剝離角處被折回。這樣，相對晶片表面的帶子剝離角大于使用剝離輥的剝離角。因此，剝離帶可在不施加強的剝離力給晶片的情況下被剝離。無用物質隨剝離帶一起可從即使薄的晶片的表面被剝離和清除，且不損壞晶片。

在按照本發明清除無用物質的方法里，通過邊緣件的末端提供給剝離帶的剝離角較佳的是一銳角或一鈍角。更佳的是，鈍角至少是90度，而銳角小于90度。

較佳的是，邊緣件末端的高度是穩定的。

即，邊緣件末端的高度保持不變。邊緣件末端從移動開始到結束保持在一穩定高度。

在按照本發明清除無用物質的方法里，邊緣件的末端較佳的是在晶片的端部往復移動通過一小行程。

通過往復移動邊緣件剝離剝離帶和到達晶片的端部可高效地從晶片上剝離和清除剝離帶。

在按照本發明的清除無用物質的方法里，在半導體晶片上的無用物質較佳的是施加在晶片表面的保護帶或形成在晶片表面的保護層。

本發明還提供一種從半導體晶片上清除無用物質的裝置，該裝置包括：一支承半導體晶片的剝離臺；一提供剝離帶給在剝離臺上的半導體晶片的帶子服務器；一接納剝離帶并提供該剝離帶給半導體晶片的帶子敷貼單元；一具有邊緣件、以便從半導體晶片上剝離剝離帶的帶子剝離單元，它從半導體晶片的端部開始，通過以邊緣件的末端相對剝離帶提供的剝離角使剝離帶折回；以及一帶子收集器，以便收集從晶片上剝離的、帶有無用物質的剝離帶。

在上述裝置里，操作可在剝離臺上通過使用提供大剝離角的邊緣件將剝離帶連續提供給晶片并剝離剝離帶進行。還可使用一系列步驟提供和收集剝離帶。這樣，可有效地從晶片的表面清除無用物質，因此，許多晶片可連續地處理。

按照本發明清除無用物質的裝置較佳的是包括一調節邊緣件相對晶片表面角度的裝置，或一保持裝置，以便防止在從晶片上剝離剝離帶的邊緣件末端移動超過晶片的終端時邊緣件的末端落下。

由于有了調節邊緣件角度的裝置，帶子可以以適當的折回角被剝離。由于有了保持裝置，邊緣件末端的高度可以保持穩定，這樣，邊緣件的末端可從移動開始到結束保持一穩定的高度。