[發(fā)明專利]從半導(dǎo)體晶片上清除無用物質(zhì)的方法和裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 02103461.3 | 申請日: | 2002-01-30 |
| 公開(公告)號: | CN1391262A | 公開(公告)日: | 2003-01-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 山本雅之;雨谷稔 | 申請(專利權(quán))人: | 日東電工株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/302 | 分類號: | H01L21/302;H01L21/304 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務(wù)所 | 代理人: | 吳明華 |
| 地址: | 日本大阪*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 晶片 清除 無用 物質(zhì) 方法 裝置 | ||
1.一種通過提供剝離帶給半導(dǎo)體晶片、從半導(dǎo)體晶片上清除無用物質(zhì)、以及從半導(dǎo)體晶片上與剝離帶一起剝離無用物質(zhì)的方法,其特征在于,一邊緣件被設(shè)置成與提供給半導(dǎo)體晶片的剝離帶表面接觸,以及剝離帶被剝離,同時以邊緣件末端提供的剝離角被折回。
2.如權(quán)利要求1所述的清除無用物質(zhì)的方法,其特征在于,通過所述邊緣件的末端提供給剝離帶的剝離角較佳的是一銳角。
3.如權(quán)利要求2所述的清除無用物質(zhì)的方法,其特征在于,在邊緣件末端的帶子折回角至少是90度。
4.如權(quán)利要求1所述的清除無用物質(zhì)的方法,其特征在于,通過所述邊緣件的末端提供給剝離帶的剝離角較佳的是一鈍角。
5.如權(quán)利要求4所述的清除無用物質(zhì)的方法,其特征在于,在邊緣件末端的帶子折回角小于90度。
6.如權(quán)利要求1所述的清除無用物質(zhì)的方法,其特征在于,所述邊緣件末端的高度是穩(wěn)定的。
7.如權(quán)利要求1所述的清除無用物質(zhì)的方法,其特征在于,所述邊緣件的末端在晶片的端部往復(fù)移動通過一小行程。
8.如權(quán)利要求1所述的清除無用物質(zhì)的方法,其特征在于,在半導(dǎo)體晶片上的無用物質(zhì)是施加在晶片表面的保護帶。
9.如權(quán)利要求1所述的清除無用物質(zhì)的方法,其特征在于,在半導(dǎo)體晶片上的無用物質(zhì)是形成在半導(dǎo)體晶片表面上的保護層。
10.一種從半導(dǎo)體晶片上清除無用物質(zhì)的裝置,包括:
一支承半導(dǎo)體晶片的剝離臺;
一提供剝離帶給在剝離臺上的半導(dǎo)體晶片的帶子服務(wù)器;
一接納剝離帶并提供該剝離帶給半導(dǎo)體晶片的帶子敷貼單元;
一具有邊緣件、以便從半導(dǎo)體晶片上剝離剝離帶的帶子剝離單元,它從半導(dǎo)體晶片的端部開始,通過邊緣件的末端對剝離帶提供的剝離角使剝離帶折回;以及
一帶子收集器,以便收集從晶片上剝離的、帶有無用物質(zhì)的剝離帶。
11.如權(quán)利要求10所述的清除無用物質(zhì)的裝置,其特征在于,所述帶子剝離單元具有一調(diào)節(jié)所述邊緣件相對晶片表面的角度的裝置。
12.如權(quán)利要求10所述的清除無用物質(zhì)的裝置,其特征在于,所述帶子剝離單元具有一保持裝置,以便防止在從晶片上剝離剝離帶的邊緣件末端移動超過晶片的終端時邊緣件的末端落下。
13.如權(quán)利要求10所述的清除無用物質(zhì)的裝置,其特征在于,所述帶子剝離單元包括:
一邊緣單元,它具有固定在其上的、并可沿帶子剝離單元移動方向來回擺動地被支承的一邊緣件;
一角度調(diào)節(jié)裝置,以便調(diào)節(jié)所述邊緣件相對晶片表面的角度;以及
一保持裝置,以便防止邊緣件的末端在從晶片上剝離剝離帶的邊緣件的末端移動超過晶片的終端時落下;
所述角度調(diào)節(jié)裝置具有使所述邊緣單元擺動的部件,以便調(diào)節(jié)邊緣件末端的角度;以及
所述保持裝置具有一部件,以便限制隨所述邊緣單元的擺動而發(fā)生的邊緣件末端的垂直移動。
14.如權(quán)利要求10所述的清除無用物質(zhì)的裝置,其特征在于,由所述邊緣件末端提供給剝離帶的剝離角是一銳角。
15.如權(quán)利要求14所述的清除無用物質(zhì)的裝置,其特征在于,在邊緣件末端處的帶子折回角至少是90度。
16.如權(quán)利要求10所述的清除無用物質(zhì)的裝置,其特征在于,由所述邊緣件末端提供給剝離帶的剝離角是一鈍角。
17.如權(quán)利要求16所述的清除無用物質(zhì)的裝置,其特征在于,在邊緣件末端處的帶子折回角小于90度。
18.如權(quán)利要求13所述的清除無用物質(zhì)的裝置,其特征在于,所述保持裝置包括測微計。
19.如權(quán)利要求10所述的清除無用物質(zhì)的裝置,其特征在于,還提供一裝置,它使所述邊緣件的末端在晶片的端部往復(fù)移動通過一小行程。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





