[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 02103206.8
• 申請日: 2002-01-30
• 公開（公告）號: CN1369915A
• 公開（公告）日: 2002-09-18
• 發明（設計）人: 谷口敏光;森真也;石部真三;鈴木彰
• 申請（專利權）人: 三洋電機株式會社
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092;H01L21/8238
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 楊凱,梁永

1.一種半導體裝置，其特征在于：

在表面上具有臺階差的半導體襯底上的臺階差的低的部分上形成了比臺階差的高的部分微細的圖形。

2.一種在表面上具有臺階差的半導體襯底上形成的半導體裝置，其特征在于：

在臺階差的低的部分上形成的一種導電類型的半導體層或相反的導電類型的半導體層的任一方中形成了具有第1線寬的第1晶體管，在臺階差的高的部分上形成的一種導電類型的半導體層或相反的導電類型的半導體層的任一方中形成了具有比第1晶體管的線寬粗的第2線寬的第2晶體管。

3.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

以一種導電類型的半導體襯底上的臺階差部為邊界形成的一種導電類型的半導體層和相反的導電類型的半導體層；

在臺階差的低的部分上形成的上述一種導電類型的半導體層或上述相反的導電類型的半導體層的任一方的半導體層上經第1柵氧化膜形成的第1柵電極；

由在上述第1柵電極的附近形成的、與上述半導體層導電類型相反的第1源、漏層構成的第1晶體管；

在臺階差的高的部分上形成的上述一種導電類型的半導體層或上述相反的導電類型的半導體層的任一方的半導體層上經第2柵氧化膜形成的其線寬比上述第1柵電極的線寬粗的第2柵電極；以及

由在上述第2柵電極的附近形成的、與上述半導體層導電類型相反的第2源、漏層構成的第2晶體管。

4.如權利要求2或3中所述的半導體裝置，其特征在于：

上述第1晶體管構成了通常耐壓的MOS晶體管，上述第2晶體管構成了高耐壓MOS晶體管。

5.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于：

在表面上具有臺階差的半導體襯底上的臺階差的低的部分上形成比臺階差的高的部分微細的圖形。

6.一種半導體裝置的制造方法，其中，在以一種導電類型的半導體襯底上的臺階差部為邊界形成的一種導電類型的和相反的導電類型的半導體層上形成第1和第2晶體管，其特征在于：

在臺階差的低的部分上形成的一種導電類型的半導體層或相反的導電類型的半導體層的任一方中形成具有第1線寬的第1晶體管，在臺階差的高的部分上形成的上述一種導電類型的半導體層或上述相反的導電類型的半導體層的任一方中形成具有比第1晶體管的線寬粗的第2線寬的第2晶體管。

7.一種半導體裝置的制造方法，其中，在以一種導電類型的半導體襯底上的臺階差部為邊界形成的一種導電類型的和相反的導電類型的半導體層上形成第1和第2晶體管，其特征在于，具備下述工序：

在臺階差的低的部分上形成的上述一種導電類型的半導體層或上述相反的導電類型的半導體層的任一方的半導體層上形成第1柵氧化膜的工序；

在臺階差的高的部分上形成的上述一種導電類型的半導體層或上述相反的導電類型的半導體層的任一方的半導體層上形成第2柵氧化膜的工序；

在上述第1和第2柵氧化膜上形成了導電膜后、以有機膜和抗蝕劑膜為掩模對該導電膜進行構圖以形成第1柵電極和與該第1柵電極相比線寬粗的第2柵電極的工序；

形成由在上述第1柵電極的附近形成的、與形成了該柵電極的半導體層導電類型相反的第1源、漏層以形成第1晶體管的工序；以及

形成由在上述第2柵電極的附近形成的、與形成了該柵電極的半導體層導電類型相反的第2源、漏層以形成第2晶體管的工序。

8.如權利要求6或7中所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

在上述一種導電類型的半導體襯底上形成一種導電類型的半導體層和相反的導電類型的半導體層的工序中，通過利用LOCOS法在上述襯底上形成臺階差部。