[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 02102428.6
• 申請日: 2002-01-21
• 公開（公告）號: CN1387261A
• 公開（公告）日: 2002-12-25
• 發明（設計）人: 春花英世;采女豐;山本誠二
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L27/04
• 分類號: H01L27/04
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 楊凱,梁永

1.一種半導體裝置，其特征在于：

在元件隔離層上形成具有同一特性的多個電阻器，并且在一個上述電阻器與相鄰的上述電阻器之間至少存在一個擴散區，進而在各自的上述電阻器中配置多個上述電阻器和上述擴散區，使得上述電阻器與其周圍對應的上述擴散區的距離做到彼此相等。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：

上述元件隔離層由研磨工序形成。

3.如權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于：

上述研磨工序為CMP工序。

4.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：

存在多個上述擴散區，而且多個上述擴散區為同一形狀。

5.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：

存在多個上述擴散區，而且多個上述擴散區相對于各自的上述電阻器的中心線或中心點被配置在對稱的位置上。

6.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：

上述電阻器被配置成其四周被上述擴散區圍住。

7.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：

上述電阻器由多個子電阻器構成。

8.如權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于：

上述電阻器由相對于上述電阻器的中心線或中心點呈對稱配置的上述多個子電阻器構成。

9.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：

上述擴散區的導電類型與上述電阻器的導電類型相同。

10.如權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于：

上述擴散區的導電類型與上述擴散區下部的阱區的導電類型相同。

11.一種半導體裝置，其特征在于：

在元件隔離層上形成了具有同一特性的多個電阻器，并且在一個上述電阻器與相鄰的上述電阻器之間，至少存在一條金屬布線，還配置有多個上述電阻器和上述金屬布線，使得上述電阻器與其周圍對應的上述金屬布線的間距對每個上述電阻器而言都變得彼此相等。

12.如權利要求11所述的半導體裝置，其特征在于：

上述元件隔離層由研磨工序形成。

13.如權利要求12所述的半導體裝置，其特征在于：

上述研磨工序為CMP工序。

14.如權利要求11所述的半導體裝置，其特征在于：

上述電阻器由多個子電阻器構成。

15.如權利要求14所述的半導體裝置，其特征在于：

上述電阻器由相對于上述電阻器的中心線或中心點呈對稱配置的上述多個子電阻器構成。