[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 02102428.6
• 申請日: 2002-01-21
• 公開（公告）號: CN1387261A
• 公開（公告）日: 2002-12-25
• 發明（設計）人: 春花英世;采女豐;山本誠二
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L27/04
• 分類號: H01L27/04
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 楊凱,梁永

[發明的詳細說明]

[發明所屬的技術領域]

本發明涉及一種半導體裝置，其中，有多個具有同一特性的電阻器在元件隔離層上高精度地形成，這些電阻元件各自特性的分散性能夠得到抑制。

[現有技術]

在現有的半導體裝置中，如圖17所示，通過對硅襯底1的表面進行有選擇地氧化，可得到作為二氧化硅層的場氧化膜3a，該區域可用作供元件隔離的區域。

但是，近年來隨著元件的微細化，使用了為謀求進一步高精度化的稱之為STI(淺溝槽隔離)的元件隔離層。該STI的制造方法的概貌示于圖18a～f。

在圖18中，首先在圖18-a所示的硅襯底1上層疊保護膜2(圖18-b)。其次，對保護膜2有選擇地進行刻蝕，得到圖18-c。再通過以保護膜2作為掩模的刻蝕，在硅基板1上形成溝槽，如圖18-d所示。接著，采取等離子體CVD等方法蒸發氧化硅膜3，得到圖18-e。最后，經CMP(化學機械拋光)等研磨工序得到圖18-f的結構。

此處，如圖17所示，由場氧化膜3a形成的元件隔離層區即使是面積很大的隔離區，出于該制造方法的性質，可形成其中央部與周邊部的膜厚大致相等的結構。與此相反，由STI形成的元件隔離層區由于經過了CMP等研磨工序，產生了在比較大的區域(例如10微米×10微米以上)內，中央部比周邊部凹陷那樣結構上的特征，如圖18-f所示。

[發明所要解決的課題]

但是，在這樣的由STI形成的元件隔離層區內，在現有的場氧化膜中原本不成為問題的新問題卻產生了。即，在較大面積的元件隔離層區上欲形成具有同一特性的多個電阻器的場合，如圖19所示，隨著電阻器位置的不同，因上述那樣的凹陷致使在照相制版時聚焦發生偏離，從而電阻器的尺寸產生分散性，難以高精度地形成具有同一特性的多個電阻器。

如上所述，本發明的課題是通過STI等研磨工序在所形成的元件隔離層區上高精度地形成具有同一特性的多個電阻器。

[解決課題的方法]

按照本發明的半導體裝置，在元件隔離層上形成了具有同一特性的多個電阻器，并且在一個電阻器與相鄰的電阻器之間，至少存在一個擴散區，還配置有多個電阻器和擴散區，使得電阻器與周圍對應的擴散區的間距對每個電阻器而言都變得相等。

另外，按照本發明的半導體裝置，元件隔離層通過研磨工序形成。

另外，按照本發明的半導體裝置，元件隔離層通過CMP工序形成。

另外，按照本發明的半導體裝置，存在多個擴散區，而且多個擴散區為同一形狀。

另外，按照本發明的半導體裝置，存在多個擴散區，而且多個擴散區相對于各自電阻器的中心線或中心點被配置成對稱的位置。

另外，按照本發明的半導體裝置，電阻器被配置成其四周被擴散區圍住。

另外，按照本發明的半導體裝置，電阻器進而由多個子電阻器構成。

另外，按照本發明的半導體裝置，電阻器是這樣的電阻器：多個子電阻器對電阻器的中心線或中心點呈對稱配置。

另外，按照本發明的半導體裝置，擴散區的導電類型與電阻器的導電類型相同。

另外，按照本發明的半導體裝置，擴散區的導電類型和擴散區下部的阱區的導電類型與電阻器的導電類型相同。

另外，按照本發明的半導體裝置，在元件隔離層上形成了具有同一特性的多個電阻器，并且在一個電阻器與相鄰的電阻器之間，至少存在一條金屬布線，還配置有多個電阻器和金屬布線，使得電阻器與其周圍金屬布線的間距對每個電阻器而言都變得相等。

[附圖的簡單說明]

[圖1]實施例1的半導體裝置的平面圖。

[圖2]實施例1的半導體裝置的剖面圖。

[圖3]模擬地表示實施例1的半導體裝置的剖面圖。

[圖4]實施例1的半導體裝置的平面圖。

[圖5]實施例2的半導體裝置的平面圖。

[圖6]實施例3的半導體裝置的平面圖。

[圖7]實施例4的半導體裝置的平面圖。

[圖8]實施例4的半導體裝置的平面圖。

[圖9]實施例5的半導體裝置的平面圖。

[圖10]實施例5的半導體裝置的平面圖。

[圖11]實施例5的半導體裝置的平面圖。

[圖12]實施例5的半導體裝置的平面圖。

[圖13]實施例6的半導體裝置的平面圖和剖面圖。

[圖14]實施例6的半導體裝置的平面圖和剖面圖。

[圖15]實施例7的半導體裝置的平面圖和剖面圖。

[圖16]實施例7的半導體裝置的平面圖。