[發明專利]交聯性低介電性高分子材料及使用它的薄膜、基板和電子部件無效
| 申請號： | 02102355.7 | 申請日： | 2002-01-23 |
| 公開（公告）號： | CN1367185A | 公開（公告）日： | 2002-09-04 |
| 發明（設計）人： | 淺見茂;山田俊昭;官原輝明;堀田寬史 | 申請（專利權）人： | TDK株式會社;第一工業制藥株式會社 |
| 主分類號： | C08F220/10 | 分類號： | C08F220/10;C08F222/10;C08J5/18 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人： | 王杰 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 交聯 性低介電性 高分子材料 使用 薄膜 電子 部件 | ||
【權利要求書】：
1.一種低介電性高分子材料，其通過將含富馬酸二酯及帶環氧基的(甲基)丙烯酸酯的單體組合物作為單體共聚制得。
2.權利要求1的低介電性高分子材料，其特征在于，前述富馬酸二酯是下述式(I)表示的單體。……式(I)
(式中，R1代表烷基或環烷基，R2代表烷基、環烷基或芳基，R1與R2可以相同也可以不同)
3.權利要求1或2記載的低介電性高分子材料，其特征在于，前述帶環氧基的(甲基)丙烯酸酯是下述式(II)表示的單體。……式(II)(式中，R3代表C1～C4的亞烷基，
???R4代表H或CH3，
???A代表C2～C4的氧亞烷基，
???n代表0～2的整數，
???X代表或
4.權利要求3記載的低介電性高分子材料，其特征在于，前述帶環氧基的(甲基)丙烯酸酯是下述式(III)表示的單體。……式(III)
5.權利要求1～4的任一項記載的低介電性高分子材料形成的薄膜。
6.用權利要求1～4的任一項記載的低介電性高分子材料構成的基板。
7.用權利要求1～4的任一項記載的低介電性高分子材料構成的電子部件。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于TDK株式會社;第一工業制藥株式會社，未經TDK株式會社;第一工業制藥株式會社許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/02102355.7/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：生產卷煙盒的方法
- 下一篇：用于形成絎縫線跡縫時能很齊整地形成線跡的縫紉機
