[發明專利]半導體器件和該器件的制造方法

有效

• 申請號: 01805025.5
• 申請日: 2001-12-13
• 公開（公告）號: CN1401139A
• 公開（公告）日: 2003-03-05
• 發明（設計）人: 梅林拓
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波,侯宇

1.一種存儲器元件和邏輯元件作在同一塊半導體基片上的半導體器件，所述半導體器件的特征在于：

存儲器元件的晶體管包括：

一個穿過柵極絕緣薄膜埋入在該半導體基片上形成的溝槽內的柵極電極；和

在該半導體基片表面側的溝槽側壁上形成的一個擴散層，

設置一個與該擴散層連接的露頭電極，使得該露頭電極穿過在該柵極電極上的一個絕緣薄膜，覆蓋該柵極電極。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征為：在該半導體基片上形成一個元件隔開區域；和

形成一個與柵極電極連接的字線，使該字線與在半導體基片和元件隔開區域上形成的溝槽中的柵極電極連接。

3.如權利要求1所述的半導體器件，其特征為：隨著擴散層的深度增加，擴散層的雜質濃度降低。

4.一種其存儲器元件和邏輯元件形成在同一塊半導體基片上的半導體器件的制造方法，所述制造半導體器件的方法的特征在于，制造存儲器元件的一個存儲器晶體管的步驟包括：

在該半導體基片上和在該半導體基片上形成的元件隔開區域上形成一個溝槽的步驟；

在該溝槽內形成一個柵極絕緣薄膜的步驟；

形成一個柵極電極和一條字線，以充滿該溝槽，同時該溝槽的上部未覆蓋的步驟；

在該半導體基片表面側，在溝槽的側壁上形成一個擴散層的步驟；

形成一個覆蓋該溝槽上部的絕緣薄膜的步驟；

在柵極電極上形成一個接觸孔，使該接觸孔穿過絕緣薄膜達到擴散層，以覆蓋該柵極電極的步驟；

在該接觸孔內形成一個露頭電極的步驟；和

進行熱處理以激活該露頭電極的步驟；以及

制造邏輯元件的一個邏輯晶體管的步驟包括：

在包括柵極電極和字線的同一個層上，在該半導體基片上，形成一個虛擬的柵極圖形的步驟；

利用該虛擬的柵極圖形作為掩模，形成邏輯晶體管的一個低濃度擴散層的步驟；

在該虛擬的柵極圖形的側面上形成一個側壁的步驟；

利用該虛擬的柵極圖形和該側壁作為掩模，形成邏輯晶體管的擴散層的步驟；

利用絕緣薄膜，覆蓋在同一層上的虛擬的柵極圖形的步驟；

在該接觸孔內形成該露頭電極后，在使該絕緣薄膜平面化的過程中，露出該虛擬的柵極圖形的上部的步驟；

在進行了激活該露頭電極的熱處理之后，通過除去該虛擬的柵極圖形形成一個柵極溝槽的步驟；和

在該柵極溝槽中，形成一個穿過柵極絕緣薄膜的柵極電極的步驟。

5.如權利要求4所述的半導體器件的制造方法，其特征為，隨著擴散層的深度增加，擴散層的雜質濃度減小。