[發明專利]具有反應副產物沉積防止裝置的排氣管和沉積防止方法無效
| 申請號: | 01804980.X | 申請日: | 2001-02-14 |
| 公開(公告)號: | CN1401014A | 公開(公告)日: | 2003-03-05 |
| 發明(設計)人: | 駒井哲夫;野村典彥 | 申請(專利權)人: | 株式會社荏原制作所 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;H01L21/31 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人: | 陳昕 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 反應 副產物 沉積 防止 裝置 排氣管 方法 | ||
1.一種排氣管,其特征在于,具有:
在內部有排氣通路的內筒,
在內筒的外側留有空隙而設置的外筒,
附接在內筒上的加熱裝置,
上述空隙與上述排氣通路連通
2.根據權利要求1所述的排氣管,其特征在于,為了沿上述內筒的內壁表面形成惰性氣體或氮氣層,具有將惰性氣體或氮氣導入到上述內筒內的裝置。
3.根據權利要求1所述的排氣管,其特征在于,上述內筒和外筒通過絕熱部件連接。
4.根據權利要求1-3任一項所述的排氣管,其特征在于,上述內筒比外筒短,在內筒的上游端連接到外筒上,在下游端形成用于將上述空隙和上述排氣通路連通的連通口。
5.根據權利要求4所述的排氣管,其特征在于,設置氣體導入口,該導入口和上述空隙不連通,貫穿通過上述外筒和內筒的上游端,朝內筒的內壁表面開口,通過該氣體導入口導入上述惰性氣體或氮氣。
6.根據權利要求1-3任一項所述的排氣管,其特征在于,上述內筒比外筒短,在內筒的下游端連接到外筒上,在上游端形成用于將上述空隙和上述排氣通路連通的連通口。
7.根據權利要求6所述的排氣管,其特征在于,在上述外筒的下游端設置和上述空隙連通的氣體導入口,通過該氣體導入口導入上述惰性氣體或氮氣,通過上述空隙和上述連通口導入上述排氣通路內。
8.根據權利要求1-3任一項所述的排氣管,其特征在于,上述內筒和外筒的長度大致相同,它們在兩端連接,在上述外筒上設置和上述空隙連通的氣體導入口,上述內筒由多孔材料構成,通過上述氣體導入口將上述惰性氣體或氮氣導入上述空隙中,通過由上述多孔材料構成的內筒的多個孔噴到上述排氣通路內。
9.一種排氣管,其特征在于,具有:
在內部有排氣通路的內筒,
設置在該內筒外側的外筒;
在內筒和外筒之間形成的密閉空間;以及
在外筒中設置的用于將液氮等極低溫冷卻介質導入上述密封空間的冷卻介質導入口。
10.一種防止反應副產物沉積的方法,用于防止在對反應真空室排氣的排氣管內沉積反應副產物,其特征在于,通過形成覆蓋排氣管內表面的氣體層,防止排氣中的反應副產物沉積在該內表面上。
11.根據權利要求10所述的反應副產物沉積防止方法,其特征在于,上述排氣管由具有排氣通路的內筒和在該內筒外側通過空隙設置的外筒構成,通過加熱內筒,防止上述反應副產物沉積到該內筒的內表面上。
12.根據權利要求11所述的反應副產物沉積防止方法,其特征在于,通過使上述內筒和外筒之間的上述空隙變成真空,減少從上述內筒傳送到外筒的熱。
13.根據權利要求12所述的反應副產物沉積防止方法,其特征在于,在上述空隙變成真空狀態的情況下,通過將該空隙和上述排氣通路連通,為了排氣導入變成真空狀態的排氣通路的真空狀態。
14.一種反應副產物沉積防止方法,用于防止在對反應真空室排氣的排氣管內沉積反應副產物,其特征在于,
通過液氮等極低溫冷卻介質冷卻上述排氣管,
通過將預定氣體導入冷卻的排氣管內,在排氣管的內表面上形成氣體凍結層,
在排氣操作后,通過上述極低溫冷卻介質解除上述氣體的凍結,并使凍結氣體汽化,防止反應副產物沉積到上述排氣管的內表面上。
15.根據權利要求14所述的反應副產物沉積防止方法,其特征在于,所述氣體選自氨氣、氬氣、氮氣。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





