[發明專利]半導體器件及其制造方法、電路基板和電子裝置

有效

• 申請號: 01801366.X
• 申請日: 2001-03-23
• 公開（公告）號: CN1381070A
• 公開（公告）日: 2002-11-20
• 發明（設計）人: 桑原啟二;花岡輝直;伊東春樹
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: H01L23/28
• 分類號: H01L23/28;H01L23/12;H01L21/301
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 楊凱,葉愷東

[技術領域]

本發明涉及半導體器件及其制造方法、電路基板和電子裝置。

[背景技術]

如追溯半導體器件的高密度封裝，則裸芯片封裝是理想的。然而，裸芯片難以保證品質并且不便使用。因此，應用CSP(Chip?Scale/SizePackage：芯片尺度/尺寸封裝)的半導體器件便得到開發。

尤其是近年來，以晶片水平制造的所謂晶片水平的CSP技術引人注目。采取晶片水平CSP將涂有樹脂層并進行二次布線的多個半導體元件以晶片單位形成，然后切斷成各個半導體元件，形成半導體器件。

但是，此時切割成小片后的半導體器件端面造成缺損，往往樹脂層從半導體元件的界面剝離掉。

[發明的公開]

本發明是解決這一問題的技術，其目的在于提供可靠性高的半導體器件及其制造方法、電路基板和電子裝置。

(1)本發明的半導體器件的制造方法是一種半導體器件的制造方法，在具有電極的多個半導體元件的集合體上形成多個樹脂層、與各半導體元件的上述電極進行電連接的布線以及與上述布線進行電連接的外部端子，并包含切斷上述集合體的工序。

可避開上述集合體的切斷區域以形成上述多個樹脂層中的至少一個樹脂層。

按照本發明，預先避開集合體的切斷區域以形成至少一個樹脂層并切斷集合體。由此，可以抑制半導體器件端部的缺損，可以防止半導體器件的樹脂層剝離。因此，可以制造可靠性高的半導體器件。

(2)在該半導體器件的制造方法中，

對于上述至少一個樹脂層可通過噴墨方式或者印刷方式形成。

因此，可以更簡單地避開切斷區域，形成至少一個樹脂層。

(3)在該半導體器件的制造方法中，

可將上述至少一個樹脂層預先構制圖形并形成在另一構件上，并采取使之轉印到上述集合體的方法形成。

因此，可以更簡單地避開切斷區域，形成至少一個樹脂層。

(4)在該半導體器件的制造方法中，

在上述切斷區域敷設由疏離上述至少一個樹脂層的成分構成的材料，通過用上述材料使之疏離的方法形成上述至少一個樹脂層。

因此，可將至少一個樹脂層確實從切斷區域除去。

(5)在該半導體器件的制造方法中，

上述至少一個樹脂層由感光性材料構成，

可通過曝光并除去上述切斷區域的部分來形成上述至少一個樹脂層。

因此，例如用現有的工序可以容易地形成至少一個樹脂層。

(6)在這種半導體器件的制造方法中，

上述多個樹脂層包括上述布線下面的第一樹脂層和上述布線上面的第二樹脂層，

用形成上述樹脂層的工序也可以避開上述集合體的切斷區域，至少形成上述第1樹脂層。

因此，可避開切斷區域形成在布線下面所形成的第1樹脂層。例如，在較厚地形成第1樹脂層的情況下是有效的。

(7)在這種半導體器件的制造方法中，

用形成上述樹脂層的工序可避開上述集合體的切斷區域，形成上述第2樹脂層。

(8)在這種半導體器件的制造方法中，

用形成上述樹脂層的工序，在以覆蓋上述外部端子和上述切斷區域的方式敷設上述第2樹脂層的至少是最上層后，除去其一部分并使上述外部端子至少是前端部露出，同時除去上述切斷區域的部分。

因此，例如用現有的工序數可以從切斷區域去除第2樹脂層。

(9)在這種半層體器件的制造方法中，

用形成上述樹脂層的工序，可形成多層上述第2樹脂層，以覆蓋上述集合體的切斷區域的方式形成上述多層中至少是最上層。

因此，可以抑制切斷時半導體端部的缺陷的發生，也可以抑制缺陷的蔓延，可以有效地防止樹脂層的剝離。

(10)在這種半導體器件的制造方法中，

上述多個樹脂層包括上述布線下面的第1樹脂層和上述布線上面的第2樹脂層。

用形成上述樹脂層的工序，可避開上述集合體的切斷區域，至少形成上述第2樹脂層。

因此，可避開切斷區域，形成在布線上所形成的第2樹脂層。例如，在較厚地形成第2樹脂層的情況下是有效的。

(11)在這種半導體器件的制造方法中，

上述第2樹脂層的熱膨脹系數可比上述第1樹脂層大。

因此，可以有效地緩和由熱應力造成的應力。

(12)在這種半導體器件的制造方法中，

用形成上述樹脂層的工序，可使上述外部端子的一部分露出，形成上述第2樹脂層，使得從上述外部端子的上述第2樹脂層露出的部分比上述外部端子與上述布線的結合部從平面上看要小。