[發明專利]半導體器件及其制造方法、電路基板和電子裝置

有效

• 申請號: 01801366.X
• 申請日: 2001-03-23
• 公開（公告）號: CN1381070A
• 公開（公告）日: 2002-11-20
• 發明（設計）人: 桑原啟二;花岡輝直;伊東春樹
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: H01L23/28
• 分類號: H01L23/28;H01L23/12;H01L21/301
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 楊凱,葉愷東

1.一種半導體器件的制造方法，在該半導體器件中，包括在具有電極的多個半導體元件的集合體上形成多個樹脂層、與各半導體元件的上述電極進行電連接的布線、以及與上述布線進行電連接的外部端子，并且切斷上述集合體的工序，其特征在于：

避開上述集合體的切斷區域，形成上述多個樹脂層中的至少一個樹脂層。

2.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于：

通過噴墨方式或者印刷方式形成上述至少一個樹脂層。

3.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于：

通過預先構圖并且形成在另外的構件上，使上述至少一個樹脂層轉印刷上述集合體上而形成。

4.如權利要求1至3中任意一項所述的半導體器件的制造方法，其特征在于：

在上述切斷區域敷設由疏離上述至少一個樹脂層的成分而構成的材料，通過用上述材料使上述至少一個樹脂層受到疏離而形成。

5.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于：

上述至少一個樹脂層由感光材料構成，

通過對上述至少一個樹脂層曝光并去除掉上述切斷區域的部分而形成上述至少一個樹脂層。

6.如權利要求1、2、3、5中任意一項所述的半導體器件的制造方法，其特征在于：

上述多個樹脂層包括上述布線下面的第1樹脂層和上述布線上面的第2樹脂層，

通過形成上述樹脂層的工序，避開上述集合體的切斷區域形成至少是上述第1樹脂層。

7.如權利要求6所述的半導體器件的制造方法，其特征在于：

通過形成上述樹脂層的工序，避開上述集合體的切斷區域形成上述第2樹脂層。

8.如權利要求7所述的半導體器件的制造方法，其特征在于：

通過形成上述樹脂層的工序，在以覆蓋住上述外部端子和上述切斷區域的方式敷設上述第2樹脂層中的至少是最上層以后，去除掉其中一部分，使上述外部端子的至少前端部露出，同時去除掉上述切斷區域的部分。

9.如權利要求6所述的半導體器件的制造方法，其特征在于：

通過形成上述樹脂層的工序，上述第2樹脂層由多層形成，可形成上述多層中的至少是最上層，以便覆蓋住上述集合體的切斷區域。

10.如權利要求1、2、3、5中任意一項所述的半導體器件的制造方法，其特征在于：

上述多個樹脂層包括上述布線下面的第1樹脂層和上述布線上面的第2樹脂層，

通過形成上述樹脂層的工序，避開上述集合體的切斷區域以形成至少是上述第2樹脂層。

11.如權利要求6所述的半導體器件的制造方法，其特征在于：

上述第2樹脂層的熱膨脹系數比上述第1樹脂層為大。

12.如權利要求6所述的半導體器件的制造方法，其特征在于：

通過形成上述樹脂層的工序，為使從上述外部端子的上述第2樹脂層露出的部分比與上述外部端子的上述布線的接合部從平面上看要變小，可使上述外部端子的一部分露出以形成上述第2樹脂層。

13.如權利要求6所述的半導體器件的制造方法，其特征在于：

上述第2樹脂層由多層形成，

通過形成上述樹脂層的工序，避開形成上述布線的上述外部端子的區域，形成上述第2樹脂層的最下層，

通過形成上述外部端子的工序，在從上述布線的上述第2樹脂層露出的部分形成上述外部端子。

14.如權利要求6所述的半導體器件的制造方法，其特征在于：

在各個上述半導體元件中，形成多個上述電極，

通過形成上述樹脂層的工序，在比上述半導體元件的上述電極更靠近內側的區域，形成上述第1樹脂層。

15.一種半導體器件，其特征在于：

該半導體器件用權利要求1、2、3、5中任意一項所述的半導體器件的制造方法制造而成。