[發(fā)明專利]SiGeC半導(dǎo)體結(jié)晶及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 01800687.6
• 申請(qǐng)日: 2001-03-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN1365522A
• 公開(kāi)（公告）日: 2002-08-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 齋藤?gòu)?/a>;神澤好彥;能澤克彌;久保實(shí)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L29/161
• 分類號(hào): H01L29/161;H01L21/205;H01L21/26;H01L21/324
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 汪惠民

1.一種SiGeC半導(dǎo)體結(jié)晶的制造方法，其特征是：包括：

在襯底上，使具有用添加了載流子用雜質(zhì)的Si_1-x-yGe_xC_y(0＜x＜1，0.01≤y＜1)所表示的組成的SiGeC半導(dǎo)體結(jié)晶外延成長(zhǎng)的步驟(a)；

實(shí)施用于使所述SiGeC半導(dǎo)體結(jié)晶中的載流子用雜質(zhì)活性化的熱處理的步驟(b)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiGeC半導(dǎo)體結(jié)晶的制造方法，其特征是：

所述熱處理的溫度是在700℃以上、1000℃以下的范圍內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的SiGeC半導(dǎo)體結(jié)晶的制造方法，其特征是：

所述外延成長(zhǎng)是以Si、Ge、C和B中的至少任意一種材料的氫化物作為原料的化學(xué)氣相成長(zhǎng)法。

4.一種SiGeC半導(dǎo)體結(jié)晶，其特征是：

把2組以上的、包含載流子用雜質(zhì)的Si_1-zGe_z(0＜z＜1)層和載流子用雜質(zhì)的濃度比該Si_1-zGe_z層更低的Si_1-wC_w(0.01≤w＜1)層交替疊層而構(gòu)成；

作為具有以Si_1-x-yGe_xC_y(0＜x＜1，0.01≤y＜1)所表示的組成的SiGeC半導(dǎo)體結(jié)晶來(lái)發(fā)揮作用。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的SiGeC半導(dǎo)體結(jié)晶，其特征是：

所述Si_1-zGe_z層和Si_1-wC_w層的厚度比產(chǎn)生離散的量子化準(zhǔn)位的厚度更薄。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的SiGeC半導(dǎo)體結(jié)晶，其特征是：

所述Si_1-zGe_z層和Si_1-wC_w層分別具有1.0nm以下的厚度。