[實用新型]堆疊半導(dǎo)體

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 01204313.3
• 申請日: 2001-02-26
• 公開（公告）號: CN2475142Y
• 公開（公告）日: 2002-01-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蔡孟儒;彭鎮(zhèn)濱;葉乃華;吳志成
• 申請（專利權(quán)）人: 勝開科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/04
• 分類號: H01L25/04
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 劉領(lǐng)弟

1、一種堆疊半導(dǎo)體，它包括基板、下層半導(dǎo)體晶片、復(fù)數(shù)條導(dǎo)線及上層半導(dǎo)體晶片；基板具有分別形成訊號輸入、輸出端的第一、二表面；下層半導(dǎo)體晶片設(shè)有下表面及中央部位形成復(fù)數(shù)焊墊的上表面；復(fù)數(shù)條導(dǎo)線兩端分別電連接于位于下層半導(dǎo)體晶片中央部位的焊墊及基板第一表面的訊號輸入端；上層半導(dǎo)體晶片堆疊于下層半導(dǎo)體晶片上方，且與基板第一表面訊號輸入端電連接；其特征在于所述的下層半導(dǎo)體晶片下表面與基板第一表面之間設(shè)有將其黏著于基板第一表面的黏著層，其周邊及上表面設(shè)有由黏著層溢延的溢膠。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的堆疊半導(dǎo)體，其特征在于所述的基板第二表面的訊號輸出端為電連接于電路板上的球柵陣列金屬球(BGA)。

3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的堆疊半導(dǎo)體，其特征在于所述的基板上于下層半導(dǎo)體晶片周邊形成阻隔溢膠往基板四周擴(kuò)散而往上堆積覆蓋于下層半導(dǎo)體晶片上表面四周邊的阻隔層。

4、根據(jù)權(quán)利要求3所述的堆疊半導(dǎo)體，其特征在于所述的阻隔層系為覆設(shè)于基板第一表面的綠漆。

5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的堆疊半導(dǎo)體，其特征在于所述的上層半導(dǎo)體晶片與基板第一表面的訊號輸入端之間電連接有復(fù)數(shù)導(dǎo)線。

6、根據(jù)權(quán)利要求1所述的堆疊半導(dǎo)體，其特征在于所述的基板、下層半導(dǎo)體晶片及上層半導(dǎo)體晶片上方覆設(shè)有保護(hù)復(fù)數(shù)條導(dǎo)線的封膠層。