[實用新型]對電荷超敏感的庫侖計無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 01201857.0 | 申請日: | 2001-01-18 |
| 公開(公告)號: | CN2462399Y | 公開(公告)日: | 2001-11-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王太宏 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院物理研究所 |
| 主分類號: | G01R29/24 | 分類號: | G01R29/24 |
| 代理公司: | 上海華東專利事務(wù)所 | 代理人: | 李柏 |
| 地址: | 100080 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電荷 敏感 庫侖計 | ||
本實用新型屬于微電子器件和納米器件,特別是涉及一種對電荷超敏感的庫侖計。
納米技術(shù)發(fā)展的速度非常快,在不久的將來微電子器件將被納米器件所取代、至少被部分取代。現(xiàn)獲得成功并得到大家公認(rèn)的納米器件有單電子晶體管和單電子存儲器。可以說,單電子晶體管是最有希望的納米器件。傳統(tǒng)電子晶體管通過控制千萬以上的成群電子的集體運動來實現(xiàn)開關(guān)、振蕩和放大等功能;單電子晶體管則只要通過一個電子的行為就可實現(xiàn)特定的功能。隨著集成度的提高,功耗已成為微電子器件電路穩(wěn)定性的制約因素。以單電子晶體管構(gòu)成的元件可大大提高微電子的集成度并可使功耗減小到10-5。單電子晶體管如此極低的功耗可解決現(xiàn)集成化電路中因散熱引起的不穩(wěn)定因素問題。它的高度集成化程度可遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越目前大規(guī)模集成化的極限,并能達(dá)到海森堡不確定原理設(shè)定的極限而成為將來不可被取代的新型器件。另外,隨著微電子器件集成度的提高,單元器件尺寸不斷減小,所含電子數(shù)也不斷減少。當(dāng)系統(tǒng)單元電子數(shù)少于10時,每漲落1個電子,系統(tǒng)中電子數(shù)的改變大于10%,電子數(shù)的漲落將嚴(yán)重影響集成電路的穩(wěn)定性。現(xiàn)解決這一問題的唯一途徑就是:用單電子器件代替?zhèn)鹘y(tǒng)的器件,并實現(xiàn)其集成。
單電子晶體管的集成化將依賴于各原器件的無線耦合(《應(yīng)用物理快報》Appl.Phys.Lett.,1996,69,406),這與傳統(tǒng)的大規(guī)模集成電路原理不同。基于這種單電子器件的集成原理,Nakazato等人(《電子快報》Electrinics?Letters,1993,29,384.《日本應(yīng)用物理快報》Jpn.J.Appl.Phys.Part1,1995,34,700)實現(xiàn)了有存儲功能的單電子存儲器和單電子邏輯電路。它們通過單電子晶體管間的隧穿耦合和電容耦合來實現(xiàn)單電子器件的集成。這種集成方法集成出的電子器件有下列不足:1)量子點大小不確定且漲落嚴(yán)重,2)量子點的數(shù)目無法確定,3)量子點的勢壘高度不可控制、不可調(diào)節(jié),4)量子點間的耦合強度不可調(diào)節(jié)。因而,這種集成方法集成出的單電子器件、單電子電路有復(fù)雜難控和不穩(wěn)定的缺點。Duncan等人(Appl.Phys.Lett.1999,74,1045)利用表面柵耗盡技術(shù)實現(xiàn)了兩個單電子晶體管的集成,但這兩個單電子晶體管間既有電容耦合又有隧穿耦合,且這兩種耦合不能完全獨立控制,這使得集成出的兩個單電子晶體管有復(fù)雜難控的缺點。
本實用新型的目的在于克服上述集成出的電子器件的缺陷,基于庫侖阻塞原理,提供一種利用單電子晶體管集成實現(xiàn)的對電荷超敏感的庫侖計。該對電荷超敏感的庫侖計可用于探測萬分之一的電子電荷,還可用于探測用已知技術(shù)無法測量的超弱電流,包括直流電流、交流電流。
本實用新型是通過混合的臺面限制和線條柵耗盡技術(shù)實現(xiàn)單電子晶體管的量子點的,量子點間再通過懸浮柵的電容耦合將所有單電子晶體管集成在一起。利用這種集成方法,將一懸浮柵和一單電子晶體管集成在一起就構(gòu)成了對電荷超敏感的庫侖計。這種庫侖計可探測萬分之一的電子電荷,可在電子邏輯電路研究、納米器件、單光子探測和生物神經(jīng)電流的探測方面有重要應(yīng)用。
本實用新型的對電荷超敏感的庫侖計如圖2所示:
在襯底12上的導(dǎo)電材料層11中有源極1和漏極2;在導(dǎo)電材料層11的源極1和漏極2處有槽8和槽9,槽8和槽9之間的臺面形成連接源極和漏極的一維波導(dǎo)10,其寬度為3-800納米;在一維波導(dǎo)10上沉積有隧穿勢壘線條柵5、6和探頭線條柵7,隧穿勢壘線條柵5和6之間的一維波導(dǎo)為量子點3,在一維波導(dǎo)的量子點3處有邊線條柵4。
隧穿勢壘線條柵5和6上分別施加負(fù)偏壓,形成兩隧穿勢壘并將一維波導(dǎo)10分成3段,邊線條柵4用以調(diào)節(jié)、控制量子點3的靜電化學(xué)勢和其中的電子數(shù)。探頭線條柵7用于耦合連接探測對象。
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