[實用新型]對電荷超敏感的庫侖計

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 01201857.0
• 申請日: 2001-01-18
• 公開（公告）號: CN2462399Y
• 公開（公告）日: 2001-11-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王太宏
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院物理研究所
• 主分類號: G01R29/24
• 分類號: G01R29/24
• 代理公司: 上海華東專利事務(wù)所
• 代理人: 李柏

1．一種對電荷超敏感的庫侖計，其特征在于：在襯底(12)上的導(dǎo)電材料層(11)中有源極(1)和漏極(2)；在導(dǎo)電材料層(11)的源極(1)和漏極(2)處有槽(8)和槽(9)，槽(8)和槽(9)之間的臺面形成連接源極(1)和漏極(2)的一維波導(dǎo)(10)；在一維波導(dǎo)(10)上沉積有隧穿勢壘線條柵(5)、(6)和探頭線條柵(7)，隧穿勢壘線條柵(5)和(6)之間的一維波導(dǎo)為量子點(3)，在一維波導(dǎo)的量子點(3)處有邊線條柵(4)。

2．如權(quán)利要求1所述的對電荷超敏感的庫侖計，其特征在于：所述的一維波導(dǎo)(10)的寬度為3-800納米。

3．如權(quán)利要求1所述的對電荷超敏感的庫侖計，其特征在于：所述的襯底(12)上進(jìn)一步覆蓋有緩沖外延層。

4．如權(quán)利要求3所述的對電荷超敏感的庫侖計，其特征在于：所述的緩沖外延層是1)Si、Ge或GeSi半導(dǎo)體元素材料；2)GaN、NAlGaAs、NInGaAs、NAlGaAs、NInAlGaAs、GaAs、AlGaAs、InGaAs或InAlGaAs半導(dǎo)體化合物；3)由硅、磷離子、氮離子、砷離子、氧離子或氟化硼離子摻雜到Si、Ge、GeSi、GaN、NAlGaAs、NInGaAs、NInAlGaAs、GaAs、AlGaAs、InGaAs或InAlGaAs半導(dǎo)體材料中的復(fù)合材料；4)上述1)、2)和3)所述的晶格常數(shù)相近似且可任意組合的材料；5)氧化硅、氧化鋁、氮化硅或氧化鈦絕緣材料。

5．如權(quán)利要求1所述的對電荷超敏感的庫侖計，其特征在于：所述的襯底是1)半導(dǎo)體絕緣體上的硅；2)氧化物材料；3)玻璃、SiC、Ge、硅或在硅表面上有一層氧化物的單晶硅；4)摻雜的半導(dǎo)體材料或非摻雜的半導(dǎo)體材料。

6．如權(quán)利要求5所述的對電荷超敏感的庫侖計，其特征在于：所述的氧化物材料是Al₂O₃、氧化硅、氧化鎂或鈦酸鍶。

7．如權(quán)利要求5所述的對電荷超敏感的庫侖計，其特征在于：所述的非摻雜的半導(dǎo)體材料是GaAs、Cr-GaAs、Si或InP；摻雜的半導(dǎo)體材料是N⁺-GaAs、N⁺-InP或N⁺-GaN。

8．如權(quán)利要求1所述的對電荷超敏感的庫侖計，其特征在于：所述的導(dǎo)電材料是1)Si、Ge或SiGe半導(dǎo)體元素材料；2)GaN、NAlGaAs、NInGaAs、NAlGaAs、NInAlGaAs、GaAs、AlGaAs、InGaAs或InAlGaAs半導(dǎo)體化合物；3)由硅、鎂、磷離GaAs、AlGaAs、InGaAs或InAlGaAs半導(dǎo)體化合物；3)由硅、鎂、磷離子、氮離子、砷離子、氧離子或氟化硼離子摻雜到Si、Ge、SiGe、GaN、NAlGaAs、NInGaAs、NInAlGaAs、GaAs、AlGaAs、InGaAs或InAlGaAs半導(dǎo)體材料中的復(fù)合材料；4)上述1)、2)和3)所述的晶格常數(shù)相近似且可任意組合的材料。

9．如權(quán)利要求1所述的對電荷超敏感的庫侖計，其特征在于：所述的隧穿勢壘線條柵、探頭線條柵和邊線條柵是Al、Au、W、Cr、Ti、Ni、Pt、Ge、Ta或Mo金屬層以及它們之間的任意復(fù)合層。