[發明專利]薄膜有效
| 申請號: | 01144608.0 | 申請日: | 2001-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN1361547A | 公開(公告)日: | 2002-07-31 |
| 發明(設計)人: | 津本高政;倉田洋行;中川廣秋;藤田稔 | 申請(專利權)人: | 三井化學株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027;G03F1/14 |
| 代理公司: | 北京三幸商標專利事務所 | 代理人: | 劉激揚 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜 | ||
技術領域
本發明涉及在集成電路制造工序中的光刻工序使用的為防止在掩?;驑擞?以下簡稱為掩模等)上附著塵埃等使用的薄膜,更詳細地說,涉及將薄膜安裝于掩模的樹脂層是由硬質樹脂層和軟質樹脂層組合形成的薄膜。
背景技術
在光刻工序中,為了防止在掩?;驑擞浬系碾娐穲D形中附著塵埃等異物,使用安裝在掩模等中的薄膜。這些薄膜,一般是在鋁制等薄膜框架的一端通過粘合劑層粘貼硝基纖維素等透明薄膜的膜,在另一端通過粘合劑等安裝于掩模上以便在使用時薄膜不會從掩模等脫落。
這樣存在如下問題,由于薄膜安裝于掩模等圖形形成面一側,掩模粘合劑的粘接強度如果過強,將薄膜從掩模等剝離時,要施加過度的力,會損傷掩模,或者剝離后掩模粘合劑殘留在掩模上。其結果,引起半導體裝置的缺陷,成為制造成品率降低的原因。
從該觀點出發,有人提出如下方案,即將薄膜框架中設置的掩模粘合劑的粘接力設置為與掩?;逭辰用娴恼辰恿Ρ扰c薄膜框架粘接面的粘接力弱的薄膜(日本第75835/1985號發明專利公開公報),或使用硬度在200gf以下的掩模粘合劑將薄膜安裝于掩模等(日本第282640/1998號發明專利公開公報)。
發明內容
但是,在掩模和薄膜框架之間形成的掩模粘合劑層,即使具有上述現有技術(日本第75835/1985號發明專利公開公報)那樣的粘接力,在掩模上多少也會產生變形,掩模很難保持平面,多數情況得不到滿意的結果。即,掩模的平面性受損時,在掩模中形成的圖形就發生變形,不能向基板上轉印正確的圖形。
另外,在光刻工序中,不僅有掩模和薄膜被膜的平面保持在水平方向進行曝光的情況,也有掩模和薄膜被膜的平面保持在垂直方向進行曝光的情況,在這種情況下,使用日本第282640/1998號發明專利公開公報中記載的掩模粘合劑,由于自重,掩模粘合劑層本身下垂變形,恐怕會損壞掩模的平面性。
因此,本發明的目的是提供將薄膜安裝于掩模時,對掩模無損傷,并且不僅掩模和薄膜被膜的平面保持在水平方向,而且保持在垂直方向時也能保持掩模的平面性(平直度)的薄膜。
按照本發明,提供了由薄膜被膜,支持薄膜被膜的薄膜框架和將薄膜安裝在掩模上的樹脂層形成的薄膜,其特征在于,該樹脂層是由硬質樹脂形成的層和軟質樹脂形成的層組合而形成的。
在本發明的薄膜中,優選的是:硬質樹脂的硬度在170gf以上,軟質樹脂的硬度在100gf以下。
樹脂層是由,與掩模相接的一側由硬質樹脂形成的薄層,和與薄膜框架相接的一側由軟質樹脂形成的厚層組合而形成的。
掩模粘合劑樹脂層,在薄膜被膜的平面保持在垂直方向時,由硬質的掩模粘合劑樹脂形成的薄層至少位于軟質的掩模粘合劑樹脂形成的厚層內側層疊層。
本發明者等發現,在安裝了薄膜的掩模中,用于將薄膜框架固定于掩模的樹脂層具有什么樣的硬度,對于保持掩模的平面性(平直度)是很重要的。該樹脂層,在與掩模的界面中優選顯示適當的粘接力,在下面將樹脂層稱為掩模粘接層。
即,在掩模和薄膜框架之間的樹脂層是硬質的情況下,掩模與該樹脂層固定,如果該薄膜框架與樹脂的界面是平面的話可維持掩模的平直度,但是當該界面面積很大時,將整體完全維持為平面是困難的,由此,掩模跟隨硬質樹脂層而變形,該掩模的平直度也被損壞。另外,硬質樹脂層,由于安裝于掩模時是硬質的,所以很容易產生間隙,存在產生塵埃等侵入的問題的顧慮。
與此相對,軟質樹脂層,優選的是能吸收掩模和薄膜框架的負載,并相對于掩模和薄膜框架能保持可以剝離的粘接力的樹脂層,但是這種軟質樹脂層樹脂層本身容易變形。特別是在薄膜保持在垂直方向時,由于自重,樹脂層本身向下垂變形,在發生界面剝離時,樹脂層有向下方錯位移動的傾向。在這樣的向下方變形或樹脂層移動時,掩模由于不必要的應力作用,在掩模上發生變形,損壞了掩模的平直度。
因此,從這種觀點出發,本發明按如下方式形成。即將薄膜安裝于掩模的樹脂層通過硬質樹脂形成的層和軟質樹脂形成的層組合形成,安裝這樣的薄膜的掩模,無論在水平狀態還是在垂直狀態,安裝薄膜框架和掩模的樹脂層都不會影響掩模。
即,本發明是,用軟質樹脂層緩和了跟隨硬質樹脂層的對于掩模等的影響,另一方面,通過硬質樹脂層抑制了軟質樹脂層自重引起的變形,特別是薄膜保持在垂直方向時的錯位,將樹脂層對掩模的影響降至最低限,不損壞掩模的平直度。
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





