[發明專利]薄膜有效
| 申請號: | 01144608.0 | 申請日: | 2001-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN1361547A | 公開(公告)日: | 2002-07-31 |
| 發明(設計)人: | 津本高政;倉田洋行;中川廣秋;藤田稔 | 申請(專利權)人: | 三井化學株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027;G03F1/14 |
| 代理公司: | 北京三幸商標專利事務所 | 代理人: | 劉激揚 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜 | ||
1.由薄膜被膜,支持薄膜被膜的薄膜框架和將薄膜安裝在掩模上的樹脂層形成的薄膜,其特征在于該樹脂層是由硬質樹脂層和軟質樹脂層組合而形成的。
2.如權利要求1所述的薄膜,其特征在于,構成上述樹脂層的樹脂是,硬質樹脂的硬度在170gf以上,軟質樹脂的硬度在100gf以下。
3.如權利要求1或2所述的薄膜,其特征在于,上述樹脂層是由,與掩模相接的一側由硬質樹脂形成的薄層,與薄膜框架相接的一側由軟質樹脂形成的厚層組合而形成的。
4.如權利要求3所述的薄膜,其特征在于,上述樹脂層中,硬質樹脂形成的層的厚度占樹脂層總厚度的5~30%,上述軟脂樹脂形成的層的厚度占樹脂層總厚度的95~70%。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





