[發(fā)明專利]在槽內(nèi)形成襯墊的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 01143586.0 | 申請日： | 2001-12-13 |
| 公開（公告）號： | CN1359146A | 公開（公告）日： | 2002-07-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 阿恩·W·巴蘭坦;杰弗里·S·布朗;杰弗里·D·吉爾伯特;詹姆斯·J·圭恩利萬;詹姆斯·A·斯林克曼;安東尼·C·斯佩蘭扎 | 申請（專利權(quán)）人： | 國際商業(yè)機器公司 |
| 主分類號： | H01L21/76 | 分類號： | H01L21/76;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 | 代理人： | 黃小臨,王志森 |
| 地址： | 美國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 形成 襯墊 方法 | ||
1.一種在槽中形成襯墊的方法，其中，在槽的頂部和底部，襯墊具有圓的彎角，該方法包括通過快速熱氧化形成襯墊。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，快速熱氧化是濕法快速熱氧化工藝。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，快速熱氧化的溫度為約900℃至約1300℃。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，快速熱氧化在約1050℃至約1200℃的溫度進行。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，襯墊具有最高達約500埃的厚度。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，襯墊具有約40埃至約500埃的厚度。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，襯墊具有約225埃至約450埃的厚度。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，執(zhí)行快速熱氧化不足3分鐘。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，執(zhí)行快速熱氧化約1秒至約3分鐘。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，執(zhí)行快速熱氧化約20秒至約1分鐘。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，槽為淺槽。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，淺槽具有最高達約0.5微米的深度。
13.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括在快速熱氧化后用絕緣材料填充槽。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，隔離物為氧化硅。
15.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，隔離物來自正硅酸乙酯。
16.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，快速熱氧化是濕法快速熱氧化工藝，溫度為約1050℃至約1200℃，且襯墊具有約225至約450埃的厚度。
17.一種結(jié)構(gòu)，包括具有襯墊的槽，其通過快速熱氧化獲得，該襯墊在槽的頂部和底部包括圓的彎角。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
