[發明專利]在半導體晶片中制造器件的增強淀積控制

無效

• 申請號: 01143423.6
• 申請日: 2001-12-26
• 公開（公告）號: CN1362727A
• 公開（公告）日: 2002-08-07
• 發明（設計）人: 伊藤信哉
• 申請（專利權）人: 日本電氣株式會社
• 主分類號: H01L21/318
• 分類號: H01L21/318;H01L21/336
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 朱進桂

1.一種用于增強淀積控制的方法，其中包括：

在半導體晶片的襯底中形成至少一個器件；和

在反應器中，以至少約10⁴Pa的壓力，在該晶片上淀積氮化硅層。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于所述器件是MOS形式的器件。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于所述器件是NMOSFET形式的器件。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于所述氮化硅層包括氮化硅(Si_XN_Y)。

5.如權利要求3所述的方法，其特征在于氮化硅層產生加強NMOSFET內部電子遷移率的力分量。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于淀積氮化硅層的操作包括：

將被選擇的反應物注入化學汽相淀積(CVD)室。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于將被選擇的反應物注入CVD室的操作包括：

注入氨(NH₃)；和

注入氟硅烷(SiH_xF_4-x)。

8.如權利要求3所述的方法，其特征在于NMOSFET包括帶頂表面和側表面的柵極，在淀積氮化硅層的操作期間，其中被淀積的氮化硅層被淀積在NMOSFET的柵極的頂表面和側表面上。

9.如權利要求7所述的方法，其特征在于所述器件是NMOSFET形式的器件，所述NMOSFET具有帶頂表面和側表面的柵極，在淀積氮化硅層的操作期間，被淀積的氮化硅層被淀積在NMOSFET柵極的頂表面和側表面上。

10.如權利要求6所述的方法，其特征在于

氮化硅層包括氮化硅(Si_XN_Y)；

其中，將被選擇的反應物注入反應器的操作包括：

注入氨(NH₃)；注入硅烷(SiH₄)；以及

其中，在淀積氮化硅層的操作期間，壓力范圍從1×10⁴Pa至6×10⁴Pa。

11.如權利要求10所述的方法，其特征在于所述器件是NMOSFET形式的器件，所述NMOSFET具有帶頂表面和側表面的柵極，在淀積氮化硅層的操作期間，氮化硅層被淀積在NMOSFET的柵極的頂表面和側表面上。

12.如權利要求7所述的方法，其特征在于

氮化硅層包括氮化硅(Si_XN_Y)；

其中，所述器件是NMOSFET形式的器件，NMOSFET具有帶頂表面和側表面的柵極，具有一表面的源區，和具有一表面的漏區；和

進一步包括：

在淀積氮化硅層的操作之前，以硅化物形成柵極的頂表面，和源區及漏區的表面。

13.如權利要求7所述的方法，其特征在于在淀積氮化硅層的操作期間，氮化硅層被淀積在NMOSFET的柵極的頂表面和側表面上。

14.如權利要求10所述的方法，其特征在于

其中，器件是NMOSFET形式的器件，NMOSFET具有帶頂表面和側表面的柵極，具有一表面的源區，和具有一表面的漏區；和

進一步包括：

在淀積氮化硅層的操作之前，以硅化物形成柵極的頂表面，和源區及漏區的表面；

其中，在淀積氮化硅層的操作期間，氮化硅層被淀積在NMOSFET的柵極的頂表面和側表面上；和

其中，在淀積氮化硅層的操作期間，壓力范圍從1×10⁴Pa至6×10⁴Pa。

15.如權利要求10所述的方法，其特征在于

其中，所述器件是NMOSFET形式的器件，NMOSFET具有：帶頂表面和側表面的柵極，具有一表面的源區，和具有一表面的漏區；和

進一步包括：

在淀積氮化硅層的操作之前，以硅化物形成柵極的頂表面，和源區及漏區的表面；和

其中，在淀積氮化硅層的操作期間，壓力范圍從1×10⁴Pa至6×10⁴Pa。