[發(fā)明專利]制造金屬支承框架的方法,金屬支承框架及其應(yīng)用

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 01137789.5
• 申請(qǐng)日: 2001-10-31
• 公開（公告）號(hào): CN1355668A
• 公開（公告）日: 2002-06-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: A·鮑爾;H·哈特曼;G·科洛德策爾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: W.C.賀利氏股份有限兩合公司
• 主分類號(hào): H05K3/32
• 分類號(hào): H05K3/32;H01R4/04
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 蘇娟

1.金屬支承框架，在其表面(3)內(nèi)的一個(gè)接觸表面(5)部位里至少有一個(gè)凹坑(2)，其特征在于，至少有一個(gè)凹坑(2)在其指向表面(3)的端部具有最大的橫斷面；至少有一個(gè)凹坑(2)在環(huán)形圍繞其最大橫斷面處具有一個(gè)平行于金屬支承框架(1)表面(3)的環(huán)形制動(dòng)槽口(4)；制動(dòng)槽口(4)的背離凹坑(2)的面(4a)正好由金屬支承框架(1)的表面(3)封閉而且環(huán)形的制動(dòng)槽口(4)整體與金屬支承框架(1)連接。

2.按權(quán)利要求1所述的金屬支承框架，其特征在于，凹坑(2)設(shè)計(jì)成圓錐形的，其中圓錐的底面對(duì)應(yīng)于最大橫斷面。

3.按權(quán)利要求1所述的金屬支承框架，其特征在于，凹坑(2)設(shè)計(jì)成底面為正方形的棱錐體形狀，其中棱錐體的正方形底面就對(duì)應(yīng)于最大橫斷面。

4.按權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的金屬支承框架，其特征在于，凹坑(2)具有垂直最大深度為5至200微米。

5.按權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的金屬支承框架的應(yīng)用作為半導(dǎo)體支座、集成電路外殼部分、滑動(dòng)觸頭、電刷、連接器或者傳感器。

6.用于制造按照權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的一個(gè)金屬支承框架(1)的工藝方法，尤其是用于電子元部件的，按以下步驟進(jìn)行：

-在至少一個(gè)接觸表面(5)上向金屬支承框架(1)的表面(3)里沖壓出至少一個(gè)凹坑(2)，同時(shí)在環(huán)形圍繞凹坑(2)的表面(3)上形成了凸起(1a)，其中這種凸起(1a)是由金屬支承框架(1)的由凹坑(2)里擠出的材料所形成的；

-將沖壓頭(10)放在凸起(1a)上，其中置于凸起(1a)上面的沖壓頭的表面設(shè)計(jì)成平行于金屬支承框架(1)的表面(3)的平面；

-在垂直于表面(3)的方向上借助于沖壓頭(10)對(duì)凸起(1a)加壓并使表面(3)變平，同時(shí)由凸起(1a)處的材料形成了環(huán)形的制動(dòng)槽口(4)。