[發明專利]非易失半導體存儲裝置

有效

• 申請號: 01137244.3
• 申請日: 2001-09-20
• 公開（公告）號: CN1346130A
• 公開（公告）日: 2002-04-24
• 發明（設計）人: 柴田升;田中智晴
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: G11C11/34
• 分類號: G11C11/34;G11C16/00;H01L27/10
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 羅亞川

1、一種半導體存儲裝置，其特征是包含：

具有第1、第2存儲區域的存儲單元陣列，上述第1存儲區域(blk)具有由地址信號選擇的多個存儲元件，上述第2存儲區域(blkRD)具有由控制信號選擇的多個存儲元件；

具有熔絲元件的控制電路(15)，上述控制電路在切斷上述熔絲元件時，禁止相對于上述第2存儲區域的寫入和擦除的至少其中之一。

2、權利要求1記載的裝置，其特征是還包含：

替換上述第1存儲區域內不良存儲元件的第3存儲區域。

3、權利要求2記載的裝置，其特征是，

上述控制電路將上述第3存儲區域作為上述第2存儲區域予以控制。

4、權利要求3記載的裝置，其特征是，

上述第2存儲區域存儲保密信息。

5、權利要求1記載的裝置，其特征是還包含：

選擇上述第2存儲區域的選擇電路(20)，上述選擇電路在匯總程序和匯總擦除時，將上述第2存儲區域作為非選擇。

6、一種半導體存儲裝置，其特征是包含：

具有第1、第2存儲區域的存儲單元陣列，上述第1存儲區域具有由地址信號選擇的多個存儲元件，上述第2存儲區域具有由控制信號選擇的多個存儲元件；

分別與上述第1、第2存儲區域對應設置的選擇電路(6、6a)，上述各選擇電路具有熔絲元件(109)，根據地址信號選擇上述第1或第2存儲區域；

在上述熔絲元件并聯連接的開關元件(108)，上述開關元件在上述熔絲元件被切斷的狀態下，根據控制信號導通，將上述選擇電路設定在可能選擇。

7、權利要求6記載的裝置，其特征是還包含：

替換上述第1存儲區域內不良存儲元件的第3存儲區域。

8、權利要求7記載的裝置，其特征是，

上述控制電路將上述第3存儲區域作為上述第2存儲區域予以控制。

9、權利要求8記載的裝置，其特征是，

上述第2存儲區域存儲保密信息。

10、權利要求6記載的裝置，其特征是還包含：

選擇上述第2存儲區域的選擇電路(20)，上述選擇電路在匯總程序和匯總擦除時，將上述第2存儲區域作為非選擇。

11、權利要求6記載的裝置，其特征是還包含：

檢出上述熔絲元件(109)狀態的檢出電路(6b)。

12、一種半導體存儲裝置，其特征是包含：

具有多個存儲元件的多個塊；

與上述各塊對應設置的存儲電路(109)，上述存儲電路存儲第1邏輯電平或第2邏輯電平的數據；

檢出上述存儲電路的存儲狀態的檢出電路(6b)；

從上述各塊的存儲元件讀出數據的讀出電路，上述讀出電路在通過上述檢出電路檢述存儲電路存儲上述第1邏輯電平時，輸出上述塊內存儲元件的數據，在檢出上述存儲電路存儲上述第2邏輯電平時，輸出不取決于上述塊內存儲元件的數據的一定值。

13、權利要求12記載的裝置，其特征是還包含：

上述存儲電路，在對應的上述塊有不良時，存儲上述第2邏輯電平的數據。

14、權利要求12記載的裝置，其特征是，

上述存儲電路是熔絲元件和EEPROM單元的其中之一。

15、種半導體存儲裝置，其特征是包含：

具有多個存儲元件的第1存儲區域(512列)，上述第1存儲區域存儲從外部輸入的數據；

發生差錯訂正代碼的差錯訂正代碼發生電路(8)；

與從上述外部輸入的數據相對應，存儲由上述差錯訂正代碼發生電路發生的差錯訂正代碼的第2存儲區域(ECC代碼區域)，上述第2存儲區域在上述差錯訂正代碼發生電路非激活時，用于替換上述第1存儲區域內的不良存儲元件。

16、權利要求15記載的裝置，其特征是還包含：

將上述差錯訂正代碼發生電路設定在激活和非激活其中之一的控制部(15)。