[發明專利]半導體器件及其制造方法

無效

• 申請號: 01133032.5
• 申請日: 2001-09-14
• 公開（公告）號: CN1347159A
• 公開（公告）日: 2002-05-01
• 發明（設計）人: 松尾浩司
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L29/772
• 分類號: H01L29/772;H01L27/092;H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 杜日新

1.一種半導體器件，在半導體襯底上的絕緣膜中形成的窗口部分內，介以柵絕緣膜分別形成N型MIS晶體管和P型MIS晶體管的柵電極，其特征是

上述N型MIS晶體管的柵電極具備接連上述柵絕緣膜，費米能級位于上述半導體襯底帶隙大約中央靠近導帶一側的第1金屬含有膜，和形成于該第1金屬含有膜上，電阻比第1金屬含有膜低的第2金屬含有膜；

上述P型MIS晶體管的柵電極具備接連上述柵絕緣膜，費米能級位于上述半導體襯底帶隙大約中央靠近價帶一側的導電性涂布膜，和形成于該導電性涂布膜上，電阻比導電性涂布膜低的第2金屬含有膜；以及

上述導電性涂布膜只形成于上述窗口部分的底面上，而且不在第2金屬含有膜的側面形成該導電性涂布膜。

2.根據權利要求1所述半導體器件，其特征是上述第1金屬含有膜是鉿氮化物膜、鋯氮化物膜、鈦氮化物膜中的任一種膜。

3.根據權利要求1所述半導體器件，其特征是上述導電性涂布膜是含碳的膜。

4.一種半導體器件的制造方法，在半導體襯底上的絕緣膜中形成的窗口部分內，介以柵絕緣膜分別形成N型MIS晶體管和P型MIS晶體管的柵電極，其特征是形成上述柵電極的步驟包括：

在N型MIS晶體管用的第1柵極形成區域和P型MIS晶體管用的第2柵極形成區域的雙方區域的窗口部分內形成的絕緣膜上，形成費米能級位于上述半導體襯底帶隙大約中央靠近導帶一側的第1金屬含有膜的步驟；

除去第2柵極形成區域中所形成的第1金屬含有膜的步驟；

只在第1和第2柵極形成區域的窗口部分底面，選擇性形成費米能級位于上述半導體襯底帶隙大約中央偏向價電子帶一側的導電性涂布膜的步驟；以及

在第1和第2柵極形成區域的導電性涂布膜上，通過形成電阻比第1金屬含有膜和導電性涂布膜低的第2金屬含有膜，埋入第1和第2柵極形成區域的雙方區域窗口部分的步驟。

5.根據權利要求4所述半導體器件的制造方法，其特征是上述導電性涂布膜的形成包括：

在第1柵極形成區域的第1金屬含有膜上和第2柵極形成區域的柵絕緣膜上，以埋入上述窗口部分的方式，形成表面大致平坦的絕緣性涂布膜的步驟；

選擇性蝕刻上述涂布膜，雖殘留上述涂布膜但再次使上述窗口部分露出的步驟；

對上述涂布膜進行規定處理，使上述涂布膜成為導電性的步驟。

6.根據權利要求5所述半導體器件的制造方法，其特征是上述涂布膜由含有碳的有機物構成，

在上述規定的處理中，對上述涂布膜進行熱處理、或激光退火、或電子照射。

7.根據權利要求5所述半導體器件的制造方法，其特征是上述涂布膜由苯環串行聯結的有機物構成，

在上述規定的處理中，對上述涂布膜導入碘。

8.根據權利要求4所述半導體器件的制造方法，其特征是上述導電性涂布膜的形成包括：

在第1柵極形成區域的第1金屬含有膜上和第2柵極形成區域的柵絕緣膜上，以埋入上述窗口部分的方式，形成表面大致平坦的導電性涂布膜的步驟，及

選擇性蝕刻上述涂布膜，雖殘留上述涂布膜但再次使上述窗口部分露出的步驟。