[發明專利]薄膜晶體管陣列及其制造方法和使用它的顯示板無效
| 申請號: | 01130501.0 | 申請日: | 2001-11-15 |
| 公開(公告)號: | CN1353329A | 公開(公告)日: | 2002-06-12 |
| 發明(設計)人: | 小川一文 | 申請(專利權)人: | 松下電器產業株式會社 |
| 主分類號: | G02F1/136 | 分類號: | G02F1/136 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人: | 王永剛 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜晶體管 陣列 及其 制造 方法 使用 顯示 | ||
技術領域
本發明涉及用于在液晶顯示板和場致發光(EL)顯示板中有代表性的平面顯示板的,把多個薄膜晶體管(TFT)配置成矩陣形的TFT陣列,更詳細地說,涉及用于簡化其制造工藝的改進。
背景技術
在這些顯示板中,代替簡單矩陣型的顯示板,配置有作為用于象素控制的開關元件,使用了非晶硅、多結晶硅等的薄膜晶體管(TFT)的有源矩陣型的顯示板已廣泛普及。
圖14展示TFT陣列的一例。在絕緣性的襯底上,薄膜晶體管(TFT)71被配置成矩陣形。被連接在同一列上的TFT71的源極區域上的源極信號線75,把來自驅動電路(未圖示)的源信號提供給TFT71。被連接在同一行上的TFT71的柵電極上的柵信號線76,把來自驅動電路(未圖示)的柵信號提供給TFT71。象素電極72,被連接在TFT71的漏極區域上。
液晶顯示板用TFT陣列,進一步在表面上形成用于規定液晶分子的最初定向的定向膜。液晶顯示板,是用TFT陣列和在表面上具備對置電極的對置襯底夾著液晶層合起來而成。液晶顯示板大致被分為:在顯示中使用來自背光燈的光的透過型,反射入射光用于顯示的反射型,以及具備透過型和反射型兩種功能的半透過型。在所謂的IPS(面內轉換)型的液晶顯示板中,如圖15所示,象素電極72以及對置電極(通用電極)70都是梳狀,都被配置在TFT陣列1上。
在場致發光(EL)顯示板中,在TFT陣列的象素電極上疊層配置發光層以及對置電極。
以往,TFT陣列例如按如下那樣制造。
例如,如圖16a所示,在由玻璃構成的襯底52的表面上,在形成由氧化硅組成的底涂層53后,形成由硅組成的半導體材料的膜,進而采用使用了規定形狀的掩模55a的蝕刻,在要形成的各TFT用的單片54上加工半導體材料膜。
接著,如圖16b所示,在形成有半導體材料膜54的襯底52的表面上形成由氧化硅組成的絕緣膜56,進而形成導電層57。采用使用了規定圖案掩模55b的蝕刻,把導電層57加工成柵信號線(未圖示)以及柵電極58上,進而如圖16c所示,把柵電極58用作掩模在半導體材料膜54上添加p型或者n型雜質,在半導體材料膜57上形成溝道區域(有源層)54a、源極區域54b以及漏極區域54c。
在襯底52的表面上形成包覆它們的絕緣膜59后,如圖16d所示,使用規定形狀的掩模(未圖示)形成貫通源極區域54b以及漏極區域54c之上的絕緣層56以及59的接觸孔60,進而在襯底52的表面上形成導電層61。
使用規定圖案的掩模55c加工導電層61,如圖61e所示,形成與源極區域54b連接的源極信號線62以及與漏極區域54c連接的接觸層63。在反射型液晶顯示板等的象素電極可以是不透明的TFT陣列中,該接觸層作為象素電極使用。另外,在半透明型液晶顯示板用陣列中,接觸層被作為反射顯示用的象素電極使用。
在要求透明的象素電極的陣列中,在襯底52的表面上,如圖61f所示,形成絕緣層64。如圖16g所示,在絕緣層64上形成接觸層63露出的接觸孔65,進而在形成由銦錫氧化物(ITO)等的透明導電材料組成的導電膜66后,采用使用了規定圖案的掩模55d的蝕刻,如圖16h所示,把導電膜66加工成象素電極67。
在如上述那樣形成象素電極后,如果在襯底52的表面上例如形成由氮化硅組成的保護膜,則可以得到頂柵型的TFT陣列。
在底柵型TFT陣列中,在形成柵信號線以及柵電極后,隔著絕緣層形成半導體材料膜。因而,在雜質的添加中還需要掩模。
如上所述,在以往的TFT陣列的制造中,在半導體材料膜的加工、柵電極以及柵信號線的形成、接觸孔的形成,源極信號線的形成、象素電極的形成、雜質的添加等中,需要分別使用具有特定圖案的掩模。因而,一般,在TFT陣列的制造中,使用約5~9張光掩模。
因而,要求降低掩模數和簡化工藝。
例如,在二極管陣列中,在特表昭62-502361號公報中提出了可以把光掩模的使用張數減少到2張的制造方法。但是,不能把該技術直接轉用于TFT陣列的制造中。進而,二極管和TFT比較,本質上高速驅動中的特性差。
發明內容
本發明的目的在于解決上述問題,以簡易的工藝制造TFT陣列。
在本發明中,通過在被形成在襯底上的半導體材料膜的規定區域上賦予導電性,在把半導體材料膜加工成TFT的溝道部分(有源層)、源極部分以及漏極部分的同時,加工成包含與漏極部分連接的象素電極的導電元件。象素電極和漏極部分形成一體。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于松下電器產業株式會社,未經松下電器產業株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/01130501.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





