[發明專利]薄膜晶體管陣列及其制造方法和使用它的顯示板

無效

• 申請號: 01130501.0
• 申請日: 2001-11-15
• 公開（公告）號: CN1353329A
• 公開（公告）日: 2002-06-12
• 發明（設計）人: 小川一文
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: G02F1/136
• 分類號: G02F1/136
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王永剛

1、一種薄膜晶體管陣列，具備，

絕緣性的襯底；

在上述襯底上被配置成矩陣形的，具備由溝道部分，源極部分以及漏極部分組成的半導體層的薄膜晶體管；

向同一列上的上述薄膜晶體管提供源極信號的源極信號線；

向同一行上的上述薄膜晶體管提供柵極信號的柵極信號線；

與上述薄膜晶體管的漏極連接的象素電極，

上述象素電極包含和構成上述薄膜晶體管的半導體層的材料相同的半導體材料。

2、權利要求1所述的薄膜晶體管陣列，上述半導體層以及上述象素電極被形成為一體。

3、權利要求1所述的薄膜晶體管陣列，上述半導體層、上述象素電極，以及劃分上述象素電極的絕緣元件含有單一的半導體材料膜。

4、權利要求1所述的薄膜晶體管陣列，上述半導體材料具有光透過性。

5、權利要求1所述的薄膜晶體管陣列，上述半導體材料是氧化物半導體。

6、權利要求5所述的薄膜晶體管陣列，上述氧化物半導體，是從由氧化鋅、氧化鎂鋅、氧化鎘鋅以及氧化鎘組成的群中選擇出的一種。

7、權利要求1所述的薄膜晶體管陣列，上述半導體層和上述源極信號線被直接連接。

8、權利要求1所述的薄膜晶體管陣列，上述柵極信號線以及上述源極信號線，除去相互交叉的區域外，由同一材料組成，被配置在同一層上。

9、權利要求8所述的薄膜晶體管陣列，一方的上述信號線，具有除去和另一方交叉的區域外配置的線狀元件，和包含與構成上述象素電極的材料相同的半導體材料，連接隔著另一方的信號線配置的上述線狀元件的元件。

10、權利要求1所述的薄膜晶體管陣列，上述柵信號線以及上述源信號線，在交叉的區域中相互間被形成在一方的表面上的絕緣性的氧化膜絕緣。

11、權利要求1所述的薄膜晶體管陣列，上述象素電極是梳狀，和上述象素電極成對設置，具備被配置在上述襯底上的梳狀的對置電極。

12、權利要求11所述的薄膜晶體管陣列，上述對置電極，和上述信號線的一方配置在同一層上。

13、權利要求12所述的薄膜晶體管陣列，上述對置電極，和上述柵信號線配置在同一層上，在其表面上具備絕緣性的氧化膜。

14、權利要求11所述薄膜晶體管陣列，上述對置電極，隔著絕緣層與上述象素電極相比被配置在上層。

15、權利要求1所述薄膜晶體管陣列，上述象素電極具有光透過性，并進一步具備被電氣連接在上述象素電極上的，具有光反射性的另一象素電極。

16、權利要求1所述薄膜晶體管陣列，在薄膜晶體管的柵電極的表面上具備絕緣性的氧化膜。

17、權利要求1所述薄膜晶體管陣列，進一步具備被形成在上述襯底上的配置有上述薄膜晶體管一側表面上的底涂層膜。

18、一種薄膜晶體管陣列，具備，

絕緣性的襯底；

在上述襯底上被配置成矩陣形的，具備由溝道部分，源極部分以及漏極部分組成的半導體層的薄膜晶體管；

向同一列上的上述薄膜晶體管提供源極信號的源極信號線；

向同一行上的上述薄膜晶體管提供柵極信號的柵極信號線；

與上述薄膜晶體管的漏極連接的象素電極，

源極部分以及漏極部分，分別直接連接由彼此相同的材料組成的源極信號線以及象素電極。

19、權利要求18所述的薄膜晶體管陣列，上述源極信號線以及象素電極，由鋁或者鋁合金組成。

20、權利要求18所述的薄膜晶體管陣列，上述對置電極，隔著絕緣層與上述象素電極相比被配置在上層。

21、權利要求18所述的薄膜晶體管陣列，進一步具備被形成在上述襯底的配置有上述薄膜晶體管一側表面上的底涂層膜。