[發明專利]N型摻雜多晶硅的制造方法

無效

• 申請號: 01129599.6
• 申請日: 2001-06-28
• 公開（公告）號: CN1393908A
• 公開（公告）日: 2003-01-29
• 發明（設計）人: 黃致遠;林經祥
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205
• 代理公司: 北京集佳專利商標事務所
• 代理人: 王學強

1.一種N型摻雜多晶硅的制造方法，該方法包括下列步驟：提供一晶片；將該晶片放在一反應室中；向該反應室中通入一組氣體源；進行一個化學氣相沉積工藝步驟，以形成一N型摻雜多晶硅薄膜，其特征是：該組氣體源包括反應氣體源、N型摻雜氣體源以及催化劑氣體源。

2.根據權利要求1所述的N型摻雜多晶硅的制造方法，其特征是：該反應氣體源為選自甲硅烷、二氯化硅烷、三氯化硅烷與四氯化硅所組成的族群其中之一。

3.根據權利要求1所述的N型摻雜多晶硅的制造方法，其特征是：該催化劑包括硼乙烷。

4.根據權利要求1所述的N型摻雜多晶硅的制造方法，其特征是：該摻雜氣體源包括磷化氫。

5.一種N型摻雜多晶硅的制造方法，該方法包括下列步驟：提供一晶片；使該晶片置于一反應室中；向該反應室中通入一組氣體源；進行一個化學氣相沉積工藝步驟，以形成一N型摻雜多晶硅薄膜，其特征是：該組氣體源包括含氯硅烷、磷化氫和用于增加沉積速率的硼乙烷作為氣體源，其中硼乙烷的含量小于磷化氫的含量。

6.根據權利要求5所述的N型摻雜多晶硅的制造方法，其特征是：該含氯硅烷為選自二氯化硅烷、三氯化硅烷與四氯化硅所組成的族群其中之一。

7.一種N型摻雜多晶硅的制造方法，該方法包括下列步驟：提供一晶片；將該晶片放在一反應室中；向反應室中通入一組氣體源；進行一化學氣相沉積工藝步驟，以形成一多晶硅薄膜；進行一N型摻質植入工藝步驟，以形成一N型摻雜多晶硅薄膜，其特征是：通入的氣體源包括含氯硅烷和用于增加沉積速率的催化劑作為氣體源。

8.根據權利要求7所述的N型摻雜多晶硅的制造方法，其特征是：該含氯硅烷為選自二氯化硅烷、三氯化硅烷與四氯化硅所組成的族群其中之一。

9.根據權利要求7所述的N型摻雜多晶硅的制造方法，其特征是：該催化劑包括硼乙烷。

10.根據權利要求7所述的N型摻雜多晶硅的制造方法，其特征是：該N型摻質植入工藝步驟的方法包括離子植入法，所植入的摻質包括磷離子。