[發明專利]一種閃存的結構

無效

• 申請號: 01129533.3
• 申請日: 2001-06-25
• 公開（公告）號: CN1393934A
• 公開（公告）日: 2003-01-29
• 發明（設計）人: 謝榮裕;林經祥
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L27/105;H01L27/115
• 代理公司: 北京集佳專利商標事務所
• 代理人: 王學強

1、一種閃存的結構，包括：一個電荷陷入層；一個柵極，配置在電荷陷入層的第二氧化層上；以及一個源/漏極區，位于該電荷陷入層兩側的基底內，其特征是：該電荷陷入層包括一層第一氧化層，其位于一個基底上；一層高介電常數介電層，其位于第一氧化層上；一層第二氧化層，其位于高介電常數介電層上。

2、根據權利要求1所述的閃存的結構，其特征是：該高介電常數介電層的帶隙值小于氧化硅的帶隙值。

3、根據權利要求1所述的閃存的結構，其特征是：該高介電常數介電層的介電常數大于8。

4、根據權利要求1所述的閃存的結構，其特征是：該高介電常數介電層的材質是選自于氧化鋁、氧化釔、鋯氧化硅、鉿氧化硅、三氧化二鑭、二氧化鋯、二氧化鉿、五氧化二鉭、氧化鐠與二氧化鈦所組成的族群其中之一。

5、根據權利要求1所述的閃存的結構，其特征是：該高介電常數介電層的材質是選自于氧化鋁、氧化釔、鋯氧化硅、鉿氧化硅、三氧化二鑭、二氧化鋯、二氧化鉿、五氧化二鉭、氧化鐠與二氧化鈦所組成的混合物族群其中之一。

6、根據權利要求1所述的閃存的結構，其特征是：該高介電常數介電層是選自于氧化鋁、氧化釔、鋯氧化硅、鉿氧化硅、三氧化二鑭、二氧化鋯、二氧化鉿、五氧化二鉭、氧化鐠與二氧化鈦所組成的堆棧層族群其中之一。

7、一種閃存的結構，包括：一個電荷陷入層；一個柵極，配置在電荷陷入層的高介電常數介電層上；以及一個源/漏極區，位于電荷陷入層兩側的基底內，其特征是：該電荷陷入層包括一層第一氧化層，其位于一基底上；一層高介電常數介電層，其位于第一氧化層上，并與第一氧化層形成一電荷陷入層。

8、根據權利要求7所述的閃存的結構，其特征是：該高介電常數介電層的帶隙值不小于氧化硅的帶隙值。

9、根據權利要求7所述的閃存的結構，其特征是：該高介電常數介電層的材質是選自于氧化鋁、氧化釔、鋯氧化硅、鉿氧化硅、三氧化二鑭、二氧化鋯、二氧化鉿、五氧化二鉭、氧化鐠與二氧化鈦所組成的族群以及上述物質組成的混合物的族群其中之一。

10、根據權利要求7所述的閃存的結構，其特征是：該高介電常數介電層是選自于氧化鋁、氧化釔、鋯氧化硅、鉿氧化硅、三氧化二鑭、二氧化鋯、二氧化鉿、五氧化二鉭、氧化鐠與二氧化鈦所組成的堆棧層族群其中之一。