[發(fā)明專利]一種閃存的結構

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 01129533.3
• 申請日: 2001-06-25
• 公開（公告）號: CN1393934A
• 公開（公告）日: 2003-01-29
• 發(fā)明（設計）人: 謝榮裕;林經(jīng)祥
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L27/105;H01L27/115
• 代理公司: 北京集佳專利商標事務所
• 代理人: 王學強

1、一種閃存的結構，包括：一個電荷陷入層；一個柵極，配置在電荷陷入層的第二氧化層上；以及一個源/漏極區(qū)，位于該電荷陷入層兩側的基底內(nèi)，其特征是：該電荷陷入層包括一層第一氧化層，其位于一個基底上；一層高介電常數(shù)介電層，其位于第一氧化層上；一層第二氧化層，其位于高介電常數(shù)介電層上。

2、根據(jù)權利要求1所述的閃存的結構，其特征是：該高介電常數(shù)介電層的帶隙值小于氧化硅的帶隙值。

3、根據(jù)權利要求1所述的閃存的結構，其特征是：該高介電常數(shù)介電層的介電常數(shù)大于8。

4、根據(jù)權利要求1所述的閃存的結構，其特征是：該高介電常數(shù)介電層的材質(zhì)是選自于氧化鋁、氧化釔、鋯氧化硅、鉿氧化硅、三氧化二鑭、二氧化鋯、二氧化鉿、五氧化二鉭、氧化鐠與二氧化鈦所組成的族群其中之一。

5、根據(jù)權利要求1所述的閃存的結構，其特征是：該高介電常數(shù)介電層的材質(zhì)是選自于氧化鋁、氧化釔、鋯氧化硅、鉿氧化硅、三氧化二鑭、二氧化鋯、二氧化鉿、五氧化二鉭、氧化鐠與二氧化鈦所組成的混合物族群其中之一。

6、根據(jù)權利要求1所述的閃存的結構，其特征是：該高介電常數(shù)介電層是選自于氧化鋁、氧化釔、鋯氧化硅、鉿氧化硅、三氧化二鑭、二氧化鋯、二氧化鉿、五氧化二鉭、氧化鐠與二氧化鈦所組成的堆棧層族群其中之一。

7、一種閃存的結構，包括：一個電荷陷入層；一個柵極，配置在電荷陷入層的高介電常數(shù)介電層上；以及一個源/漏極區(qū)，位于電荷陷入層兩側的基底內(nèi)，其特征是：該電荷陷入層包括一層第一氧化層，其位于一基底上；一層高介電常數(shù)介電層，其位于第一氧化層上，并與第一氧化層形成一電荷陷入層。

8、根據(jù)權利要求7所述的閃存的結構，其特征是：該高介電常數(shù)介電層的帶隙值不小于氧化硅的帶隙值。

9、根據(jù)權利要求7所述的閃存的結構，其特征是：該高介電常數(shù)介電層的材質(zhì)是選自于氧化鋁、氧化釔、鋯氧化硅、鉿氧化硅、三氧化二鑭、二氧化鋯、二氧化鉿、五氧化二鉭、氧化鐠與二氧化鈦所組成的族群以及上述物質(zhì)組成的混合物的族群其中之一。

10、根據(jù)權利要求7所述的閃存的結構，其特征是：該高介電常數(shù)介電層是選自于氧化鋁、氧化釔、鋯氧化硅、鉿氧化硅、三氧化二鑭、二氧化鋯、二氧化鉿、五氧化二鉭、氧化鐠與二氧化鈦所組成的堆棧層族群其中之一。