[發(fā)明專利]閃存的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 01129355.1
• 申請日: 2001-06-13
• 公開（公告）號: CN1326223A
• 公開（公告）日: 2001-12-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 范左鴻;蔡文哲;盧道政
• 申請（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8246
• 分類號: H01L21/8246
• 代理公司: 北京集佳專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 王學(xué)強

1.一種閃存的制造方法，其特征在于：該方法包括下列步驟：

提供一基底，在該基底上至少具有一堆棧柵；

以該堆棧柵為罩幕，對該基底進行一淺接面摻雜步驟，以在該堆棧柵兩側(cè)的該基底中形成一淺接面摻雜區(qū)；

在該基底上形成一罩幕層，其中該罩幕層覆蓋該堆棧柵表面和側(cè)壁，使部分該淺接面摻雜區(qū)裸露出來；

以該罩幕層為罩幕，對該基底進行一深接面摻雜步驟以在該罩幕層兩側(cè)的該基底中形成一深接面摻雜區(qū)；

去除該罩幕層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃存的制造方法，其特征在于：施行該淺接面摻雜步驟的方法包括離子植入法。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的閃存的制造方法，其特征在于：施行該淺接面摻雜步驟的能量為1至5千電子伏特左右，該淺接面摻雜步驟的植入摻質(zhì)包括N型摻質(zhì)，植入摻質(zhì)的劑量為1×10¹⁵至5×10¹⁵/cm²左右。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃存的制造方法，其特征在于：形成該罩幕層的方法包括下列步驟：

在該基底上形成一光阻層；

圖案化該光阻層，以形成該罩幕層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃存的制造方法，其特征在于：施行該深接面摻雜步驟的方法包括離子植入法。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的閃存的制造方法，其特征在于：該施行深接面摻雜步驟的能量為40至70千電子伏特左右，該深接面摻雜步驟的植入摻質(zhì)包括N型摻質(zhì)，該植入摻質(zhì)的劑量為1×10¹⁵至5×10¹⁵/cm²左右。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃存的制造方法，其特征在于：還包括在去除罩幕層后進行一熱加工，以使該淺接面摻雜區(qū)以及該深接面摻雜區(qū)形成源/漏極區(qū)。

8.一種閃存的制造方法，其特征在于：該方包括下列步驟：

提供一基底，在該基底上至少形成有一堆棧柵；

以該堆棧柵為罩幕，對該基底進行一第一離子植入步驟，以在該堆棧柵兩側(cè)的該基底中形成一淺接面摻雜區(qū)；

在該基底上形成一光阻層；

定義該光阻層以形成一罩幕層，其中該罩幕層覆蓋該堆棧柵表面和側(cè)壁，且使部分該淺接面摻雜區(qū)裸露出來；

以該罩幕層為罩幕，對該基底進行一第二離子植入步驟，以在該罩幕層兩側(cè)的該基底中形成一深接面摻雜區(qū)；

去除該罩幕層；

進行一熱加工，以使該淺接面摻雜區(qū)以及該深接面摻雜區(qū)形成源/漏極區(qū)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的閃存的制造方法，其特征在于：施行該第一離子植入步驟的操作功率為1至5千電子伏特左右，該第一離子植入步驟的摻質(zhì)包括N型摻質(zhì)，該第一離子植入步驟的植入劑量為1×10¹⁵至5×10¹⁵/cm²左右。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的閃存的制造方法，其特征在于：施行該第二離子植入步驟的操作功率為40至70千電子伏特左右，該第二離子植入步驟的摻質(zhì)包括N型摻質(zhì)，該第二離子植入步驟的摻質(zhì)劑量為1×10¹⁵至5×10¹⁵/cm²左右。