[發明專利]具有浮置柵的內存組件的制造方法

有效

• 申請號: 01129354.3
• 申請日: 2001-06-13
• 公開（公告）號: CN1327264A
• 公開（公告）日: 2001-12-19
• 發明（設計）人: 范左鴻;盧道政;蔡文哲;潘正圣
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/82
• 分類號: H01L21/82;H01L21/8239;H01L21/335
• 代理公司: 北京集佳專利商標事務所
• 代理人: 王學強

1.??一種具有浮置柵的內存組件的制造方法，其特征在于：該方法包括下列步驟：

提供一基底；

對該基底進行一信道摻雜步驟，該信道摻雜步驟使預定形成的該具有浮置柵的內存組件的一實際起始電壓值大于預定形成的該具有浮置柵的內存組件的一預定的起始電壓值；

在該基底上形成一堆棧柵；

在該基底中形成一源/漏極區。

2.??根據權利要求1所述的具有浮置柵的內存組件的制造方法，其特征在于：該信道摻雜步驟包括一第一井區植入步驟、一第二井區植入步驟、一起始電壓調整植入步驟。

3.??根據權利要求2所述的具有浮置柵的內存組件的制造方法，其特征在于：該第一井區植入步驟包括使用離子植入法，以150至350千電子伏特左右的能量，植入劑量為1×10¹³至2.5×10¹³/cm²左右的P型摻質。

4.??根據權利要求2所述的具有浮置柵的內存組件的制造方法，其特征在于：該第二井區植入步驟包括使用離子植入法，植入能量在100至150千電子伏特左右，植入摻質為P型摻質。

5.??根據權利要求2項所述的具有浮置柵的內存組件的制造方法，其中該起始電壓調整植入步驟包括使用離子植入法，以20至70千電子伏特左右的能量，植入劑量為5×10¹²至25×10¹²/cm²左右的硼離子。

6.??根據權利要求2所述的具有浮置柵的內存組件的制造方法，其特征在于：該起始電壓調整植入步驟包括使用離子植入法，以100至400千電子伏特左右的能量，植入劑量為5×10¹²至25×10¹²/cm²左右的BF₂。

7.??一種降低具有浮置柵的內存組件的漏極開關漏電流的方法，其特征在于：該方法包括下列步驟：

提供一基底；

對該基底進行一信道摻雜步驟，該信道摻雜步驟使預定形成的該具有浮置柵的內存組件的一實際起始電壓值大于預定形成的該具有浮置柵的內存組件的一預定的起始電壓值。

8.??根據權利要求7所述的降低具有浮置柵的內存組件的漏極開關漏電流的方法，其特征在于：該信道摻雜步驟包括一第一井區植入步驟、一第二井區植入步驟、一起始電壓調整植入步驟。

9.??根據權利要求8所述的降低具有浮置柵的內存組件的漏極開關漏電流的方法，其特征在于：該第一井區植入步驟包括使用離子植入法，以150至350千電子伏特左右的能量，植入劑量為1×10¹³至2.5×10¹³/cm²左右的P型摻質。

10.??根據權利要求8所述的降低具有浮置柵的內存組件的漏極開關漏電流的方法，其特征在于：該第二井區植入步驟包括使用離子植入法，以100至150千電子伏特左右的能量植入，植入摻質為P型摻質。

11.??根據權利要求8所述的降低具有浮置柵的內存組件的漏極開關漏電流的方法，其特征在于：該起始電壓調整植入步驟包括使用離子植入法，以20至70千電子伏特左右的能量，植入劑量為5×10¹²至25×10¹²/cm²左右的硼離子。

12.??根據權利要求8所述的降低具有浮置柵的內存組件的漏極開關漏電流的方法，其特征在于：該起始電壓調整植入步驟包括使用離子植入法，以100至400千電子伏特左右的能量，植入劑量為5×10¹²至25×10¹²/cm²左右的BF₂。