[發(fā)明專利]氮化硅只讀存儲器的制造方法

有效

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• 申請日: 2001-07-12
• 公開（公告）號: CN1396652A
• 公開（公告）日: 2003-02-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 宋建龍;陳家興;劉振欽
• 申請（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8246
• 分類號: H01L21/8246
• 代理公司: 北京集佳專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 王學(xué)強(qiáng)

1.一種氮化硅只讀存儲器的制造方法，其特征為：該方法包括：

提供一基底；

在該基底上形成一捕捉層，該捕捉層由一氧化層、位于該氧化層上的一氮化物層及位于該氮化物層上的一介電層所構(gòu)成；

在該基底上形成已圖案化的一光阻層，其中該光阻層所覆蓋的該捕捉層下方的部分該基底區(qū)域定義為一信道區(qū)，裸露的該捕捉層下方的部分該基底區(qū)域定義為一源極/汲極區(qū)；

以該光阻層為罩幕，進(jìn)行一口袋離子植入步驟，將一第一型摻質(zhì)植入該基底的該源極/汲極區(qū)中；

以該光阻層為罩幕，移除部分該捕捉層，以使該捕捉層圖案化；

以該光阻層為罩幕，進(jìn)行一源極/汲極離子植入步驟，將一第二型摻質(zhì)植入該基底中的該源極/汲極區(qū)中；

去除該光阻層；

以該捕捉層為罩幕，進(jìn)行一熱工藝，以使該源極/汲極區(qū)的該基底表面形成一埋入式源極/汲極氧化層，同時使該第二型摻質(zhì)在該埋入式源極/汲極氧化層下方形成一埋入式源極/汲極，該第一型摻質(zhì)因熱擴(kuò)散而在該埋入式源極/汲極周緣的該信道區(qū)邊緣形成一口袋型摻雜區(qū)；以及

在該基底上形成一導(dǎo)體柵極。

2.如權(quán)利要求1所述的氮化硅只讀存儲器的制造方法，其特征為：該第一型摻質(zhì)為P型，該第二型摻質(zhì)為N型。

3.如權(quán)利要求2所述的氮化硅只讀存儲器的制造方法，其特征為：該第一型摻質(zhì)選自于硼離子或BF₂之一。

4.如權(quán)利要求2所述的氮化硅只讀存儲器的制造方法，其特征為：該口袋離子植入步驟的該第一型摻質(zhì)為硼離子，且其劑量為5.0×10¹²/cm²～1.0×10¹³/cm²左右，能量為40KeV～60KeV左右。

5.如權(quán)利要求2所述的氮化硅只讀存儲器的制造方法，其特征為：該第二型摻質(zhì)選自于砷離子與磷離子所組成的族群之一。

6.如權(quán)利要求2所述的氮化硅只讀存儲器的制造方法，其特征為：該源極/汲極離子植入步驟的該第二型摻質(zhì)為砷離子，且其劑量為2.0×10¹⁵/cm²～4.0×10¹⁵/cm²左右，能量為40KeV～60KeV左右。

7.如權(quán)利要求1所述的氮化硅只讀存儲器的制造方法，其特征為：該熱工藝在攝氏750度～900度之間施行。

8.一種存儲元件的口袋型摻雜區(qū)的形成方法，其特征為：包括：

提供一基底，該基底包括一信道區(qū)與一源極/汲極區(qū)；

進(jìn)行一口袋離子植入步驟，將一摻質(zhì)植入該基底的該源極/汲極區(qū)中；以及

進(jìn)行一熱工藝，使該摻質(zhì)擴(kuò)散，而在該源極/汲極區(qū)周緣的該信道區(qū)邊緣形成該口袋型摻雜區(qū)。

9.如權(quán)利要求8所述的存儲元件的口袋型摻雜區(qū)的形成方法，其特征為：該摻質(zhì)的摻雜型態(tài)為P型，選自于硼離子或BF₂之一。

10.如權(quán)利要求8所述的存儲元件的口袋型摻雜區(qū)的形成方法，其特征為：該熱工藝在攝氏750度～900度之間施行。

11.如權(quán)利要求8所述的存儲元件的口袋型摻雜區(qū)的形成方法，其特征為：在進(jìn)行該口袋離子植入步驟前，還包括在該基底的信道區(qū)上覆蓋一罩幕層，且在進(jìn)行該熱工藝步驟前，還包括去除該罩幕層的步驟。

12.一種半導(dǎo)體元件的口袋型摻雜區(qū)的形成方法，其特征為：該方法包括：

提供一基底，該基底包括一信道區(qū)與一源極/汲極區(qū)；

進(jìn)行一口袋離子植入步驟，將一摻質(zhì)植入該基底的該源極/汲極區(qū)之中；以及

進(jìn)行一熱工藝，使該摻質(zhì)擴(kuò)散，而在該源極/汲極區(qū)周緣的該信道區(qū)邊緣形成該口袋型摻雜區(qū)。

13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體元件的口袋型摻雜區(qū)的形成方法，其特征為：該摻質(zhì)的摻雜型態(tài)為P型，選自于硼離子或BF₂之一。

14.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體元件的口袋型摻雜區(qū)的形成方法，其特征為：該熱工藝在攝氏750度～900度之間施行。

15.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體元件的口袋型摻雜區(qū)的形成方法，其特征為：在進(jìn)行該口袋離子植入步驟前，還包括在該基底的信道區(qū)上覆蓋一罩幕層，且在進(jìn)行該熱工藝步驟前，還包括去除該罩幕層的步驟。