[發明專利]淺溝渠隔離結構的制造方法

無效

• 申請號: 01120412.5
• 申請日: 2001-07-12
• 公開（公告）號: CN1396644A
• 公開（公告）日: 2003-02-12
• 發明（設計）人: 劉婉懿
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/76
• 分類號: H01L21/76
• 代理公司: 北京集佳專利商標事務所
• 代理人: 王學強

1.一種淺溝渠隔離結構的制造方法，其特征為：包括下列步驟：

提供一基底；

在該基底上形成一墊氧化層；

在該墊氧化層上形成一罩幕層；

定義該基底，在該基底中形成一溝渠，該溝渠的一頂角已被圓角化；

以一高密度等離子體化學氣相沉積工藝，在該基底上形成一絕緣層以覆蓋該基底并填滿該溝渠，其中該高密度等離子體化學氣相沉積工藝的蝕刻/沉積比為0.15至0.6左右；

除去該溝渠外的該絕緣層；

除去該罩幕層；以及

除去該墊氧化層，以形成淺溝渠隔離結構。

2.如權利要求1所述的淺溝渠隔離結構的制造方法，其特征為：該高密度等離子體化學氣相沉積工藝的操作溫度為攝氏550度至700度左右。

3.如權利要求1所述的淺溝渠隔離結構的制造方法，其特征為：在該高密度等離子體化學氣相沉積工藝中，低頻射頻的操作功率為2700W至4500W左右。

4.如權利要求1所述的淺溝渠隔離結構的制造方法，其特征為：在該高密度等離子體化學氣相沉積工藝中，高頻射頻的操作功率為2700W至4000W左右。

5.如權利要求1所述的淺溝渠隔離結構的制造方法，其特征為：在該高密度等離子體化學氣相沉積工藝所使用的一反應氣體源包括硅甲烷、氧氣以及氮氣。

6.如權利要求5所述的淺溝渠隔離結構的制造方法，其特征為：該反應氣體源的硅甲烷流量為80sccm至150sccm左右，氧氣流量為120sccm至210sccm左右，以及氦氣流量為180sccm至280sccm左右。

7.一種淺溝渠隔離結構的制造方法，其特征為：包括下列步驟：

提供一基底，且該基底中具有一溝渠；

以一高密度等離子體化學氣相沉積工藝，在該基底上形成一絕緣層以覆蓋該基底并填滿該溝渠，其中該高密度等離子體化學氣相沉積工藝的蝕刻/沉積比為0.15至0.6左右；以及

除去該溝渠外的該絕緣層，以形成淺溝渠隔離結構。

8.如權利要求7所述的淺溝渠隔離結構的制造方法，其特征為：在進行該高密度等離子體化學氣相沉積工藝之前還包括一將該溝渠的頂角圓角化的步驟。

9.如權利要求7所述的淺溝渠隔離結構的制造方法，其特征為：該高密度等離子體化學氣相沉積工藝的操作溫度為攝氏550度至700度左右。

10.如權利要求7所述的淺溝渠隔離結構的制造方法，其特征為：在該高密度等離子體化學氣相沉積工藝中，低頻射頻的操作功率為2700W至4500W左右。

11.如權利要求7所述的淺溝渠隔離結構的制造方法，其特征為：在該高密度等離子體化學氣相沉積工藝中，高頻射頻的操作功率為2700W至4000W左右。

12.如權利要求7所述的淺溝渠隔離結構的制造方法，其特征為：在該高密度等離子體化學氣相沉積工藝所使用的一反應氣體源包括硅甲烷、氧氣以及氮氣。

13.如權利要求12所述的淺溝渠隔離結構的制造方法，其特征為：該反應氣體源的硅甲烷流量為80sccm至150sccm左右，氧氣流量為120sccm至210sccm左右，以及氦氣流量為180sccm至280sccm左右。