[發(fā)明專利]成膜裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 01119694.7 | 申請日: | 2001-03-26 |
| 公開(公告)號: | CN1325129A | 公開(公告)日: | 2001-12-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 池上浩;早坂伸夫;伊藤信一;奧村勝彌 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社東芝 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人: | 王以平 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 裝置 | ||
(本申請基于并要求2000年3月28日提交的在先日本專利申請第2000-89738號為優(yōu)先權(quán),其全部內(nèi)容在此一并作為參考。)
本發(fā)明涉及在被處理襯底上涂敷液體的成膜方法,尤其是涉及被利用于控制涂敷量的方法。
作為在襯底上形成液狀膜的方法,利用平版印刷處理的抗蝕劑的旋涂法是公知的。并且在近年來,旋涂法正被應(yīng)用到絕緣膜和金屬膜的成膜中。然而,在旋涂法中,供給襯底上的藥液幾乎都排出襯底外,由于僅殘留極小的百分比用在成膜上,所以藥液大多浪費,這給環(huán)境帶來了很壞的影響。并且,問題還在于在方形襯底和12英寸以上的圓形襯底中,其外周部分產(chǎn)生氣流,在該部分膜厚不均勻。
作為不浪費藥液并在整個襯底上均勻涂敷的方法,在特開平2-220428號公報中記載了通過成一列配置的多個噴嘴噴出抗蝕劑溶液,從其后方在成膜面上吹氣或藥液,獲得均勻的膜的方法。并且,在特開平6-151295號公報中記載了在棒上設(shè)置多個噴霧口,以此向襯底上噴出抗蝕劑,獲得均勻膜的方法。既使在這些涂敷裝置中的任一個,通過沿襯底表面使多個橫列配置的噴出或噴霧嘴掃掠,也能得到均勻的膜。
然而,在這樣的涂敷法中,不能局部控制在襯底面內(nèi)的成膜厚度。
作為不浪費藥液且在襯底面內(nèi)控制涂敷量的方法,提出了在被處理襯底的成膜區(qū)域上通過噴嘴供給藥液,進行液狀膜的成膜的方法。通過使用形成ON/OFF藥液的噴出的精密涂敷嘴進行使用藥液供給嘴的涂敷量的控制。精密涂敷嘴經(jīng)驅(qū)動設(shè)置在噴出口上部的噴嘴內(nèi)設(shè)置的針狀和螺旋等的閥,控制藥液的噴出量。
在這些方式中,問題是,當(dāng)驅(qū)動閥時,借助閥和藥液的摩擦產(chǎn)生微粒,在打開閥時,流下的藥液中所含的微粒被輸送到襯底上。問題還在于就在閥被打開后,相關(guān)藥液的壓力變化產(chǎn)生脈動流,使成膜厚度產(chǎn)生偏差。
作為抑制微粒混入和脈動流產(chǎn)生的藥液噴出量控制的方法,在美國專利申請?zhí)?9/335,508中,記載了利用從滴下的藥液側(cè)吹氣,阻斷藥液供給的方法。
在該美國專利申請?zhí)?9/335,508中,通過在照射光產(chǎn)生氣體的材料上照射光,而產(chǎn)生氣體,通過產(chǎn)生的氣體壓力使從噴嘴噴出的藥液軌跡變化。用在下方設(shè)置的藥液回收部回收軌跡變化的藥液,阻斷向襯底的藥液供應(yīng)。
在該方式中,一方面在氣體發(fā)生膜上照射光并加熱使氣化,另一方面對于位于其前方的滴下藥液必須抑制光的照射影響。但是,在美國專利申請?zhí)?9/335,508中沒有抑制光照射影響的對策。
另外,當(dāng)在單元移動部內(nèi)設(shè)置板狀氣體發(fā)生膜時,由于其大小受到限制,所以能降低滴下藥液僅100次。為了對被處理襯底的整個面上進行阻斷,由于必須在105-107個位置減少藥液,所以在該方式中成為問題的是位置削減得少。
本發(fā)明目的在于提供一種成膜裝置,邊通過由光照產(chǎn)生氣體的材料形成的氣體壓力局部控制滴下的藥液的滴下量,邊進行成膜,其特征是,氣體發(fā)生膜上照射的光可抑制對藥液的影響。
并且,本發(fā)明的其他目的在于提供一種成膜裝置,能緩解滴下降低次數(shù)的限制。
為了達到上述目的,本發(fā)明提供以下構(gòu)成:
(a)本發(fā)明的成膜裝置具有:藥液噴嘴,對被處理襯底連續(xù)噴出藥液;氣體噴出部,配置在該藥液噴嘴的下方,對該噴嘴噴出的藥液吹氣,利用該氣體壓力改變藥液軌跡;藥液回收部,使對噴出的藥液與所述液體軌跡變化部相隔配置,回收利用該氣體噴出部改變軌跡的藥液;移動部,使所述液體噴嘴和所述被處理襯底作相對移動;所述氣體噴出部具有:激光振蕩器,使脈沖激光振蕩;和氣體發(fā)生膜,利用所述激光振蕩器照射的激光加熱氣化產(chǎn)生所述氣體。
(b)本發(fā)明的成膜裝置具有:藥液噴嘴,對被處理襯底連續(xù)噴出藥液;氣體噴出部,配置在該藥液噴嘴的下方,對該噴嘴噴出的藥液吹氣,利用該氣體壓力改變藥液軌跡;藥液回收部,使對噴出的藥液與所述液體軌跡變化部相隔配置,回收利用該氣體噴出部改變軌跡的藥液;移動部,使所述液體噴嘴和所述被處理襯底作相對移動;所述氣體噴出部具有:光照射部;帶狀氣體氣體發(fā)生膜,利用所述光照射部照射的光加熱氣化產(chǎn)生所述氣體;和卷繞器,驅(qū)動該氣體發(fā)生膜。
利用上述構(gòu)成,本發(fā)明有如下作用和效果。
控制光脈沖幅度,使在氣體發(fā)生膜氣化之前中止激光的照射,由此,對滴下的藥液可不照射激光,所以對藥液無影響。
使用帶狀氣體發(fā)生膜,由卷繞器驅(qū)動氣體發(fā)生膜,由此可緩和藥液滴下降低次數(shù)的限制。
圖1A表示第1實施例的成膜裝置示意性構(gòu)成圖;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





