[發明專利]成膜裝置無效
| 申請號: | 01119694.7 | 申請日: | 2001-03-26 |
| 公開(公告)號: | CN1325129A | 公開(公告)日: | 2001-12-05 |
| 發明(設計)人: | 池上浩;早坂伸夫;伊藤信一;奧村勝彌 | 申請(專利權)人: | 株式會社東芝 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人: | 王以平 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 裝置 | ||
1.一種成膜裝置,具有:
對被處理襯底連續噴出藥液的藥液噴嘴;
氣體噴出部,其配置在該藥液噴嘴的下方,對該噴嘴噴出的藥液吹氣,利用該氣體壓力改變藥液軌跡;
藥液回收部,其相對于噴出的藥液與所述氣體噴出部相隔配置,回收利用該氣體噴出部改變軌跡的藥液;和
使所述液體噴嘴和所述被處理襯底作相對移動的移動部,
所述氣體噴出部具有:
使脈沖激光振蕩的激光振蕩器,和
利用所述激光振蕩器照射的激光加熱氣化產生所述氣體的氣體發生膜。
2.根據權利要求1所述的成膜裝置,其特征是,還備有把所述氣體發生膜加熱到不氣化的溫度的溫度控制機構。
3.根據權利要求2所述的成膜裝置,其特征是,所述溫度控制機構備有加熱器。
4.根據權利要求2所述的成膜裝置,其特征是,所述溫度控制機構備有對所述氣體發生膜照射紅外光的紅外光照射部。
5.根據權利要求1所述的成膜裝置,其特征是,所述氣體發生膜是帶子狀,且還備有驅動該氣休發生膜的卷繞器。
6.根據權利要求5所述的成膜裝置,其特征是,具有在與所述氣體發生膜卷繞方向垂直的方向上排列的許多光纖,通過任一光纖向所述氣體發生膜照射由所述激光振蕩器振蕩的激光。
7.根據權利要求1所述的成膜裝置,其特征是,具有吸引借助于所述氣體排放的藥液的吸引器。
8.根據權利要求7所述的成膜裝置,其特征是,還具有吸引口具有與所述吸引器連接的管道的噴嘴;
該噴嘴具有:
導入由所述氣體發生膜產生的膜的氣體導入口;和
設置在吸引口和導入口之間,通過所述藥液的一對藥液通過口。
9.根據權利要求8所述的成膜裝置,其特征是,在所述藥液通過孔和所述吸引口之間設置有通風口。
10.根據權利要求1所述的成膜裝置,其特征是,所述激光振蕩器是半導體激光器。
11.一種成膜裝置,具有:
對被處理襯底連續噴出藥液的藥液噴嘴;
氣體噴出部,其配置在該藥液噴嘴的下方,對該噴嘴噴出的藥液吹氣,利用該氣體壓力改變藥液軌跡;
藥液回收部,其相對于噴出的藥液與所述氣體噴出部相隔配置,回收利用該氣體噴出部改變軌跡的藥液;
使所述液體噴嘴和所述被處理襯底作相對移動的移動部;
所述氣體噴出部具有:
光照射部;
利用所述光照射部照射的光加熱氣化產生所述氣體的帶狀氣體發生膜,和驅動該氣體發生膜的卷繞器。
12.根據權利要求11所述的成膜裝置,其特征是,還具有把所述氣體發生膜加熱到不氣化溫度的溫度控制機構。
13.根據權利要求12所述的成膜裝置,其特征是,所述溫度控制機構具有加熱器。
14.根據權利要求12所述的成膜裝置,其特征是,所述溫度控制機構具有對所述帶狀氣體發生膜照射紅外光的紅外光照射部。
15.根據權利要求11所述的成膜裝置,其特征是,具有吸引由所述氣體排放的藥液的吸引器。
16.根據權利要求15所述的成膜裝置,其特征是,還具有吸引口具有與所述吸引器連接的管道的噴嘴;
該噴嘴具有:
導入由所述氣體發生膜產生的膜的氣體導入口;和
設置在吸引口和導入口之間,通過所述藥液的一對藥液通過口。
17.根據權利要求16所述的成膜裝置,其特征是,在所述藥液通過孔和所述吸引口之間設置有通風口。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





